[发明专利]一种基于图形化生长的光束可控纳米线激光器有效
申请号: | 201510823645.X | 申请日: | 2015-11-24 |
公开(公告)号: | CN105322439B | 公开(公告)日: | 2018-06-19 |
发明(设计)人: | 赵青;焦蛟;黄小平;林恩 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01S5/24 | 分类号: | H01S5/24 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 张杨 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 该发明属于一种基于图形化生长的光束可控纳米线激光器,属于微纳光学和光学纳米材料领域,特别涉及纳米线激光器。该光束可控纳米线激光器包括衬底,隔离介质和在隔离介质中开设的图形凹槽,以及生长在凹槽中的纳米线阵列。该发明将纳米线发光特性与微纳光束调控透镜设计相结合,制作一个用于光束调控的图形化区域供纳米线生长,使得纳米线的出射光实现准直,聚焦等光束调控。从而克服了纳米线发光散射严重,能量利用率低等缺点。提高了纳米线激光器在小型化,集成化光学器件的实际应用。 1 | ||
搜索关键词: | 纳米线 激光器 可控 图形化生长 隔离介质 调控 集成化光学器件 纳米材料领域 纳米线阵列 能量利用率 图形化区域 发光特性 透镜设计 图形凹槽 微纳光学 出射光 散射 生长 衬底 准直 发光 聚焦 制作 应用 | ||
【主权项】:
1.一种基于图形化生长的光束可控纳米线激光器,包括:衬底、隔离介质层、图形化的纳米线;其中隔离介质层位于衬底上,且设置有图形化的镂空,以露出衬底,图像化的纳米线生长于露出的衬底上,其特征在于纳米线的图形为可实现激光光束聚焦、准直的微纳沟槽图形,所述纳米线高度大于等于隔离介质层的2倍,纳米线直径小于图形化凹槽的宽度。
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