[发明专利]一种基于图形化生长的光束可控纳米线激光器有效
| 申请号： | 201510823645.X | 申请日： | 2015-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN105322439B | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 赵青;焦蛟;黄小平;林恩 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01S5/24 | 分类号： | H01S5/24 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 张杨 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米线 激光器 可控 图形化生长 隔离介质 调控 集成化光学器件 纳米材料领域 纳米线阵列 能量利用率 图形化区域 发光特性 透镜设计 图形凹槽 微纳光学 出射光 散射 生长 衬底 准直 发光 聚焦 制作 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于图形化生长的光束可控纳米线激光器，包括：衬底、隔离介质层、图形化的纳米线；其中隔离介质层位于衬底上，且设置有图形化的镂空，以露出衬底，图像化的纳米线生长于露出的衬底上，其特征在于纳米线的图形为可实现激光光束聚焦、准直的微纳沟槽图形，所述纳米线高度大于等于隔离介质层的2倍，纳米线直径小于图形化凹槽的宽度。
2.如权利要求1所述的一种基于图形化生长的光束可控纳米线激光器，其特征在于所述纳米线的图形为菲涅尔波带片图形、V形纳米天线图形、单根纳米天线图形或微纳平面透镜结构图形。
3.如权利要求1所述的一种基于图形化生长的光束可控纳米线激光器，其特征在于所述纳米线材料为氧化锌、硫化镉、氮化镓、锑化镓、硒化镉、硫化锌半导体材料中的任意一种。
4.如权利要求1所述的一种基于图形化生长的光束可控纳米线激光器，其特征在于所述衬底材料为蓝宝石，氮化镓或者硅。
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