[发明专利]一种低质量密度halbach取向钕铁硼磁环有效
| 申请号： | 201510819524.8 | 申请日： | 2015-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN105405559A | 公开（公告）日： | 2016-03-16 |
| 发明（设计）人： | 王海涛 | 申请（专利权）人： | 宁波尼兰德磁业有限公司 |
| 主分类号： | H01F1/057 | 分类号： | H01F1/057;H01F1/08;H01F41/02 |
| 代理公司： | 宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(普通合伙) 33243 | 代理人： | 张向飞 |
| 地址： | 315145 浙江省宁*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开的低质量密度halbach取向钕铁硼磁环，包括本体，本体为环形，本体内部中心处设置有至少2个孔洞，本体具有磁化区，所述磁化区至少部分的磁场方向按照halbach阵列取向，磁化区的halbach阵列取向所形成的增强磁场在本体的外部。本发明通过结合磁体中的局部中空结构以及halbach阵列取向，以在降低磁体平均密度，调整重心的同时，避免场强性能的降低，从而提高应用的效率与便利性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 质量 密度 halbach 取向 钕铁硼磁环 | ||
【主权项】：
一种低质量密度halbach取向钕铁硼磁环，包括本体，其特征在于：所述本体为环形，所述本体内部中心处设置有至少2个孔洞，所述本体具有磁化区，所述磁化区至少部分的磁场方向按照halbach阵列取向，所述磁化区的halbach阵列取向所形成的增强磁场在本体的外部。
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