[发明专利]一种低质量密度halbach取向钕铁硼磁环

权利要求书

1.一种低质量密度halbach取向钕铁硼磁环，包括本体，其特征在于：所述本体为环形，所述本体内部中心处设置有至少2个孔洞，所述本体具有磁化区，所述磁化区至少部分的磁场方向按照halbach阵列取向，所述磁化区的halbach阵列取向所形成的增强磁场在本体的外部。

2.根据权利要求1所述的低质量密度halbach取向钕铁硼磁环，其特征在于：所述磁化区的最外层在本体的表层，并且磁化区在本体上成鳞片状分布。

3.根据权利要求2所述的低质量密度halbach取向钕铁硼磁环，其特征在于：所述磁化区在本体中的厚度不小于0.3mm。

4.根据权利要求1至3任一所述的低质量密度halbach取向钕铁硼磁环，其特征在于：所述磁化区总体积占本体总体积的60％以上。

5.根据权利要求1至3任一所述的低质量密度halbach取向钕铁硼磁环，其特征在于：所述磁化区中按halbach阵列取向的部分占磁化区总体积的50％以上。

6.根据权利要求4任一所述的低质量密度halbach取向钕铁硼磁环，其特征在于：所述磁化区中按halbach阵列取向的部分占磁化区总体积的50％以上。

7.根据权利要求1所述的低质量密度halbach取向钕铁硼磁环，其特征在于：所述本体的合金材料组成为(wt％):镨钕30.3-31.2％、镝铁0-10％、铽0-6％、硼铁4.5-6.5％、铜0.1-0.2％、铝0.1-1％、铌铁0.3-1％、镓0.1-0.25％、钴0.6-2.5％，余量为铁。

8.根据权利要求7所述的低质量密度halbach取向钕铁硼磁环，其特征在于：所述硼铁的元素组成为(wt％)：硼20-25％；余量为铁。

9.根据权利要求7所述的低质量密度halbach取向钕铁硼磁环，其特征在于：所述铌铁的元素组成为(wt％)：铌50-75％；余量为铁。

10.根据权利要求1所述的低质量密度halbach取向钕铁硼磁环，其特征在于：所述本体为合金材料经熔炼甩带、氢破制粉、成型干燥、烧结、后处理得到，其中成型时包括芯部成型和二次成型，所述芯部成型为具有孔洞部分成型，二次成型为在芯部成型基础上再次压制而完成本体的成型。