[发明专利]一种高性能多孔硅基薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201510810058.7 | 申请日： | 2015-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN105347294A | 公开（公告）日： | 2016-02-24 |
| 发明（设计）人： | 陈桂兴 | 申请（专利权）人： | 陈桂兴 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 广州市南锋专利事务所有限公司 44228 | 代理人： | 袁周珠 |
| 地址： | 511545 广东省清远*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高性能多孔硅基薄膜及其制备方法，属于薄膜制备技术领域；其中原料的各组分的重量份为P型单晶硅片70~75份、氢氟酸100~120份、乙醇100~120份、氧化钒4~8份、氧化钨2~4份，其制备方法为将氢氟酸和乙醇混合，然后将硅片浸泡在混合液中，电解腐蚀25~30min得多孔硅基片；将氧化钒磁控溅射在基片表面，厚度为0.15~0.25cm；再在表面溅射厚度为0.1~0.15cm的氧化钨层，即得成品；该薄膜性能优越，应用范围广，可根据需求再镀上不同的材料的薄层应用在不同的微机电系统传感器上；制得的薄膜致密，与衬底粘附性好，面积大且均匀，具有良好的绝热性能，且工艺条件容易控制，成本低廉，适于工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 性能 多孔 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高性能多孔硅基薄膜，其特征在于：原料各组分的重量份为：P型单晶硅片70~75份、氢氟酸100~120份、乙醇100~120份、氧化钒4~8份、氧化钨2~4份。
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