[发明专利]一种高性能多孔硅基薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201510810058.7 | 申请日： | 2015-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN105347294A | 公开（公告）日： | 2016-02-24 |
| 发明（设计）人： | 陈桂兴 | 申请（专利权）人： | 陈桂兴 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 广州市南锋专利事务所有限公司 44228 | 代理人： | 袁周珠 |
| 地址： | 511545 广东省清远*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 性能 多孔 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种高性能多孔硅基薄膜，其特征在于：原料各组分的重量份为：
P型单晶硅片70~75份、氢氟酸100~120份、乙醇100~120份、氧化钒4~8份、氧化钨2~4份。
2.一种高性能多孔硅基薄膜，其特征在于：原料各组分的重量份为：
P型单晶硅片70~73份、氢氟酸100~110份、乙醇110~120份、氧化钒6~8份、氧化钨3~4份。
3.一种高性能多孔硅基薄膜，其特征在于：原料各组分的重量份为：
P型单晶硅片73~75份、氢氟酸110~120份、乙醇100~110份、氧化钒4~6份、氧化钨2~3份。
4.一种高性能多孔硅基薄膜，其特征在于：原料各组分的重量份为：
P型单晶硅片73份、氢氟酸110份、乙醇110份、氧化钒6份、氧化钨3份。
5.一种高性能多孔硅基薄膜，其特征在于：原料各组分的重量份为：
P型单晶硅片72份、氢氟酸105份、乙醇116份、氧化钒7份、氧化钨3.5份。
6.一种高性能多孔硅基薄膜，其特征在于：原料各组分的重量份为：
P型单晶硅片74份、氢氟酸117份、乙醇108份、氧化钒5份、氧化钨2.5份。
7.根据权利要求1~6所述的一种高性能多孔硅基薄膜，其特征在于：所述的氢氟酸的体积浓度为30%~40%，乙醇为无水乙醇。
8.一种高性能多孔硅基薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
将氢氟酸和乙醇混合，然后将硅片浸泡在混合液中，电解腐蚀25~30min得多孔硅基片；将氧化钒磁控溅射在基片表面，厚度为0.15~0.25cm；再在表面溅射厚度为0.1~0.15cm的氧化钨层，即得成品。
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