[发明专利]一种打拿极薄膜结构及基于打拿极薄膜结构的电子倍增器

摘要

本发明公开了一种打拿极薄膜结构及基于打拿极薄膜结构的电子倍增器，用于电子倍增器的金刚石薄膜打拿极包括基架盒体，弧形二次电子打拿极片，夹持底板，栅电极四个部分组成。基架盒体是为了装载和固定弧形二次电子打拿极片；弧形二次电子打拿极片是在弧形的金属衬底上用MPCVD方法在金属片弧形面内侧生长具有高二次电子发射效率的金刚石薄膜；夹持底板将二次电子打拿极片与基架盒体紧密固定在一起，栅电极具有加速入射电子的作用。本发明具有二次电子发射系数高，二次发射系数衰减性能优，薄膜结构稳定的特点，并且电子倍增器打拿极基架盒的安装也十分方便，不会破坏薄膜原有性质。具有制作成本低，结构简单，工作性能高的优点。

主权项

一种打拿极薄膜结构，其特征在于，所述打拿极薄膜结构为采用MPCVD方法在弧形打拿极片(100)生长的一层金刚石薄膜(110)。