[发明专利]一种打拿极薄膜结构及基于打拿极薄膜结构的电子倍增器

权利要求书

1.一种打拿极薄膜结构，其特征在于，所述打拿极薄膜结构为采用MPCVD方法在弧形打拿极片(100)生长的一层金刚石薄膜(110)。

2.一种电子倍增器，其特征在于，包括基架盒体(130)、栅电极(150)及弧形打拿极片(100)；

所述基架盒体(130)为四分之一圆柱体结构，其中，基架盒体(130)包括底板、第一侧板及第二侧板，第一侧板及第二侧板分别与底板的两侧面相连接，弧形打拿极片(100)固定于底板的上部，且弧形打拿极片(100)的上表面及底板的上表面均为内凹的弧面，弧形打拿极片(100)的上表面上采用MPCVD方法生长有一层金刚石薄膜(110)，弧形打拿极片(100)位于第一侧板、第二侧板及底板之间，入射电子经栅电极(150)加速后入射到金刚石薄膜(110)上。

3.根据权利要求2所述的电子倍增器，其特征在于，所述弧形打拿极片(100)的上下两端分别设有用于夹持底板的上下两端的固定夹具(140)。

4.根据权利要求2所述的电子倍增器，其特征在于，所述固定夹具(140)为L型结构或矩形结构。

5.根据权利要求2所述的电子倍增器，其特征在于，基架盒体(130通过钢材或者铜材制作而成。

6.根据权利要求2所述的电子倍增器，其特征在于，弧形打拿极片(100)由钼、钨或碳钨合金的材料制成。