[发明专利]具有衬底适配器的半导体元件及其制造方法和其接触方法在审
| 申请号： | 201510802140.5 | 申请日： | 2015-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN105632951A | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 马丁·布雷夫斯;安德列亚斯·欣里希;安德列亚斯·克莱因;迈克尔·舍费尔;伊利萨·维赛勒 | 申请（专利权）人： | 贺利氏德国有限及两合公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/485 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 程爽;郑霞 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及具有衬底适配器的半导体元件及其制造方法和其接触方法。用于制造至少一个具有衬底适配器(35'、35”、35”')的半导体元件(10'、10”、10”')的方法，包括以下步骤：结构化导电金属元件(12)；将接触材料(11)施加在半导体元件(10)的第一侧面(13)，其中所述半导体元件(10)以第二侧面(14)布置在转运元件(20)上；定位结构化的金属元件(12)和半导体元件(10)，使得结构化的金属元件(12)的第一侧面(21)与设置有接触材料(11)的、半导体元件(10)的第一侧面(13)相对布置；以及将结构化的金属元件(12)与设置有接触材料(11)的半导体元件(10)接合。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 衬底 适配器 半导体 元件 及其 制造 方法 接触 | ||
【主权项】：
一种用于制造至少一个具有衬底适配器(35'、35”、35”')的半导体元件(10'、10”、10”')的方法，包括以下步骤：‑结构化导电金属元件(12)，‑将接触材料(11)施加在半导体元件(10)的第一侧面(13)，其中所述半导体元件(10)以第二侧面(14)布置在转运元件(20)上，‑定位结构化的金属元件(12)和半导体元件(10)，使得所述结构化的金属元件(12)的第一侧面(21)与设置有所述接触材料(11)的、所述半导体元件(10)的第一侧面(13)相对布置，并且‑将所述结构化的金属元件(12)与设置有所述接触材料(11)的所述半导体元件(10)接合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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