[发明专利]具有衬底适配器的半导体元件及其制造方法和其接触方法

权利要求书

1.一种用于制造至少一个具有衬底适配器(35'、35”、35”')的半导体元件(10'、10”、 10”')的方法，包括以下步骤：

-结构化导电金属元件(12)，

-将接触材料(11)施加在半导体元件(10)的第一侧面(13)，其中所述半导体元件(10) 以第二侧面(14)布置在转运元件(20)上，

-定位结构化的金属元件(12)和半导体元件(10)，使得所述结构化的金属元件(12)的 第一侧面(21)与设置有所述接触材料(11)的、所述半导体元件(10)的第一侧面(13)相对布 置，并且

-将所述结构化的金属元件(12)与设置有所述接触材料(11)的所述半导体元件(10)接 合。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，将与所述半导体元件(10)和所述接触材料 (11)结合的、结构化的金属元件(12)分开以便进一步处理，从而使得所述转运元件(20)将 由分开的金属元件(12'、12”、12”')和接触材料(11)构成的衬底适配器(35'、35”、35”')彼 此保持一定距离地进行固定。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述转运元件(20)是薄膜框架和/或晶圆 框架。

4.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，具有被施加的接触材料(11)和 结合的金属元件(12)的所述半导体元件(10)与转运元件(20)分离开，并且被放置在设置有 另一种接触材料(25)的载体(30)上，其中所述半导体元件(10)的第二侧面(14)与设置有另 一种接触材料(25)的载体(30)接触。

5.如权利要求2至4中任一项所述的方法，其特征在于，具有至少一个衬底适配器(35'、 35”、35”')的至少一个单独的半导体元件(10'、10”、10”')与所述转运元件(20)分离开，并 且被放置在设置有另一种接触材料(25)的载体(30)上，其中至少一个单独的所述半导体元 件(10'、10”、10”')的第二侧面(14)与设置有另一种接触材料(25)的载体(30)接触。

6.如权利要求2至5中任一项所述的方法，其特征在于，优选在与所述半导体元件(10) 和接触材料(11)结合的结构化的金属元件(12)被分开之前，在所述结构化的金属元件(12) 的第二侧面(22)上施加保护膜(40)。

7.如前述权利要求中任一项，特别是如权利要求4至6中任一项所述的方法，其特征在 于，所述转运元件(20)和/或所述载体(30)是薄膜，其与相关接触材料(11、25)或金属元件 (10)或半导体元件(10)的附着力比在所述接触材料(11、25)和/或金属元件(10)和/或半导 体元件(10)之间的连接的附着力小。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述转运元件(20)与至少一个半导体元件 (10、10'、10”、10”')之间的附着力和/或在所述载体(30)与另一种接触材料(25)之间的附 着力比在所述至少一个半导体元件(10、10'、10”、10”')与接触材料(11)之间的附着力或在 所述另一种接触材料(25)与所述至少一个半导体元件(10、10'、10”、10”')之间的附着力 小，从而使得当至少一个半导体元件(10、10'、10”、10”')从所述转运元件(20)分离时所述 接触材料(11)粘附在金属元件(12'，12”，12”')上，和/或当至少一个半导体元件(10'、10”、 10”')从所述载体(30)分离时所述另一种接触材料(25)粘附在所述半导体元件(10'，10”， 10”')上。

9.如前述权利要求中任一项，特别是如权利要求4至8中任一项所述的方法，其特征在 于，将所述接触材料(11)施加在所述半导体元件(10)的第一侧面(13)上和/或将所述另一 种接触材料(25)施加在所述载体(30)的侧面(31)上是通过预定的结构来实施的，所述预定 的结构完全匹配所述结构化的金属元件(12)的结构和/或所述半导体元件(10)的结构。