[发明专利]一种通过磁控溅射表面处理提高TC4钛合金的阻尼性能的方法有效

专利信息
申请号: 201510780931.2 申请日: 2015-11-13
公开(公告)号: CN105316633B 公开(公告)日: 2018-05-22
发明(设计)人: 刘红梅;陈辉;胥永刚;刘艳;苟国庆;王峰阳;陈宇;高天学 申请(专利权)人: 西南交通大学
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/06;C23C14/16;C23C14/08
代理公司: 成都信博专利代理有限责任公司 51200 代理人: 张澎
地址: 610031 四川省成都市*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种通过磁控溅射表面处理提高TC4钛合金的阻尼性能的技术,对TC4钛合金进行表面处理以提高阻尼性能,其特征在于,选用适当靶材在磁控溅射设备采用优选的溅射工艺参数在TC4样品上沉积表面膜,以改善TC4钛合金的阻尼性能。本发明通过磁控溅射技术在TC4合金表面形成一层厚度在纳米或微米数量级的薄膜。薄膜和基体之间的界面及界面附近的位错往往是薄膜材料中主要的阻尼源,振动时往往能够通过位错阻尼的机制耗散能量。将表面处理后的TC4合金与未处理的TC4合金的阻尼性能进行对比,TC4合金的阻尼系数为0.0034,通过磁控溅射表面处理技术可以有效地提高其阻尼系数,使TC4合金的阻尼性能提高3‑5倍。
搜索关键词: 一种 通过 磁控溅射 表面 处理 提高 tc4 钛合金 阻尼 性能 方法
【主权项】:
1.一种通过磁控溅射表面处理提高TC4钛合金的阻尼性能的方法,对TC4钛合金进行表面处理以提高阻尼性能,其特征在于,在TC4钛合金表面沉积纯金属Cu膜层、无机非金属薄膜SiO2膜层、金属化合物薄膜ZnO膜层或金属Ti/Au的双层膜层;选用适当靶材在磁控溅射设备采用溅射工艺参数在TC4样品上沉积表面膜,以改善TC4钛合金的阻尼性能;所述磁控溅射镀膜采用直流溅射或射频溅射方式,相应的工艺参数为:射频磁控:工作气压0.4Pa;功率900×0.2—1000×0.2伏安;偏压200V;Ar流量18-20sccm;直流磁控:工作气压0.5Pa;功率173×0.5伏安;偏压60V;Ar流量18-20sccm。
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