[发明专利]一种LED垂直芯片结构及其制作方法

摘要

本发明提供一种LED垂直芯片结构及其制作方法，包括以下步骤：S1：提供一蓝宝石衬底，在其上依次生长非故意掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层及P型GaN层；S2：形成若干分立的P电极；S3：形成若干分立的并覆盖所述P电极的第一键合金属层；并提供一键合基底，在其表面形成若干分立的第二键合金属层；S4：将所述第一键合金属层、第二键合金属层对准键合；S5：去除所述蓝宝石衬底；S6：去除所述非故意掺杂GaN层，并利用干法刻蚀工艺形成切割道；所述切割道避开键合金属层所在区域；S7：形成N电极。本发明采用图形化键合结构（由若干分立的键合金属层组成），有效避免了ICP刻蚀切割道时造成的金属飞溅问题，减少芯片漏电风险，从而有效提高芯片的可靠性。

主权项

1.一种LED垂直芯片结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：提供一蓝宝石衬底，并在其上依次生长非故意掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层及P型GaN层；S2：在所述P型GaN层上形成若干分立的P电极；S3：在所述P型GaN层上形成若干分立的并覆盖所述P电极的第一键合金属层；并提供一键合基底，在所述键合基底表面形成若干分立的第二键合金属层；所述第二键合金属层与所述第一键合金属层相对应；S4：将所述第一键合金属层、第二键合金属层对准键合；S5：去除所述蓝宝石衬底；S6：去除所述非故意掺杂GaN层，并刻蚀所述N型GaN层、多量子阱层及P型GaN层，形成切割道；所述切割道避开所述第一键合金属层、第二键合金属层所在区域；S7：在所述N型GaN层表面形成N电极。