[发明专利]一种LED垂直芯片结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201510778998.2 | 申请日： | 2015-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN106711291B | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 童玲;张宇;徐慧文;李起鸣 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/48;H01L33/22;H01L33/36 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 键合金属层 分立 切割道 蓝宝石 垂直芯片 衬底 去除 掺杂 芯片 干法刻蚀工艺 多量子阱层 表面形成 对准键合 键合结构 所在区域 漏电 键合基 图形化 飞溅 制作 避开 金属 生长 覆盖 | ||
1.一种LED垂直芯片结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：提供一蓝宝石衬底，并在其上依次生长非故意掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层及P型GaN层；
S2：在所述P型GaN层上形成若干分立的P电极；
S3：在所述P型GaN层上形成若干分立的并覆盖所述P电极的第一键合金属层；并提供一键合基底，在所述键合基底表面形成若干分立的第二键合金属层；所述第二键合金属层与所述第一键合金属层相对应；
S4：将所述第一键合金属层、第二键合金属层对准键合；
S5：去除所述蓝宝石衬底；
S6：去除所述非故意掺杂GaN层，并刻蚀所述N型GaN层、多量子阱层及P型GaN层，形成切割道；所述切割道避开所述第一键合金属层、第二键合金属层所在区域；
S7：在所述N型GaN层表面形成N电极。
2.根据权利要求1所述的LED垂直芯片结构的制作方法，其特征在于：所述P电极包括用于形成欧姆接触的ITO层或Ni层。
3.根据权利要求1所述的LED垂直芯片结构的制作方法，其特征在于：所述P电极包括作为反射镜的Ag层或Al层。
4.根据权利要求1所述的LED垂直芯片结构的制作方法，其特征在于：所述第一键合金属层包括Au/Sn复合层、Ni/Sn复合层、Au/Au复合层及In/Sn复合层中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的LED垂直芯片结构的制作方法，其特征在于：所述键合基底包括Si衬底、W/Cu复合衬底或Mo/Cu复合衬底。
6.根据权利要求1所述的LED垂直芯片结构的制作方法，其特征在于：于所述步骤S6中，采用反应耦合等离子体干法刻蚀去除所述非故意掺杂GaN层及形成所述切割道。
7.根据权利要求1所述的LED垂直芯片结构的制作方法，其特征在于：于所述步骤S7中，在形成所述N电极之前，首先对所述N型GaN层表面进行粗化。
8.根据权利要求7所述的LED垂直芯片结构的制作方法，其特征在于：对所述N型GaN层表面进行粗化的方法为：采用湿法刻蚀在所述N型GaN层表面形成金字塔形微观结构。
9.根据权利要求1所述的LED垂直芯片结构的制作方法，其特征在于：所述N电极包括Ni/Au复合层、Al/Ti/Pt/Au复合层或Cr/Pt/Au复合层。
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