[发明专利]一种反激同步整流控制方法

摘要

本发明实施例公开的一种反激同步整流控制方法，涉及反激同步整流控制技术，能够解决常规反激同步整流强迫续流问题，以及初次级MOSFET同时导通，造成的共通问题。该方法延迟初级MOSFET开通驱动t1秒，延迟同步整流MOSFET开通t3秒，提前同步整流MOSFET关断t2秒，分别控制t1，t2，t3为不同时间长度，致使在一个同步整流周期内同时存在同步整流状态和二极管整流状态。主要用于反激同步整流电路。 1

主权项

1.一种反激同步整流控制方法，其特征在于，用于反激同步整流控制电路，所述反激同步整流控制电路包括初级MOSFET和同步整流MOSFET，在一个同步整流周期内，延迟初级MOSFET开通驱动t1秒，延迟同步整流MOSFET开通t3秒，提前同步整流MOSFET关断t2秒，分别控制t1，t2，t3为不同时间长度，以使两个MOSFET无开通重叠，并且同步整流MOSFET提早关断，初级MOSFET有足够时间完成谐振，确保在一个同步整流周期内同时存在同步整流状态和二极管整流状态。