[发明专利]一种反激同步整流控制方法有效
| 申请号: | 201510778544.5 | 申请日: | 2015-11-13 |
| 公开(公告)号: | CN105245094B | 公开(公告)日: | 2018-06-19 |
| 发明(设计)人: | 陈睿;陈京谊;刘晓刚;张福亮;李诚;李敬 | 申请(专利权)人: | 航天科工惯性技术有限公司 |
| 主分类号: | H02M1/38 | 分类号: | H02M1/38;H02M3/335 |
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| 地址: | 100074 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 反激 同步整流 同步整流控制 延迟 同步整流电路 同步整流状态 二极管整流 导通 共通 关断 开通 续流 驱动 | ||
1.一种反激同步整流控制方法,其特征在于,用于反激同步整流控制电路,所述反激同步整流控制电路包括初级MOSFET和同步整流MOSFET,在一个同步整流周期内,延迟初级MOSFET开通驱动t1秒,延迟同步整流MOSFET开通t3秒,提前同步整流MOSFET关断t2秒,分别控制t1,t2,t3为不同时间长度,以使两个MOSFET无开通重叠,并且同步整流MOSFET提早关断,初级MOSFET有足够时间完成谐振,确保在一个同步整流周期内同时存在同步整流状态和二极管整流状态。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,调整t3时间长度,增加同步整流MOSFET开通时间。
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