[发明专利]无掩模建立自对准磁性穿隧接面的拓朴方法在审
| 申请号： | 201510767059.8 | 申请日： | 2015-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN105591025A | 公开（公告）日： | 2016-05-18 |
| 发明（设计）人： | 张洵渊;谢瑞龙;蔡秀雨;S·南;H-J·赵 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L27/22;H01L43/08;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明涉及无掩模建立自对准磁性穿隧接面的拓朴方法，其提供不使用微影掩模来形成自对准MTJ的方法和所得装置。具体实施例包括：形成第一电极于金属层上方，使该金属层凹进低k介电层；形成MTJ层于第一电极上方；形成第二电极于该MTJ层上方；部份移除该第二电极、该MTJ层及该第一电极向下到该低k介电层；形成氮化硅基层于该第二电极及该低k介电层上方；以及平坦化该氮化硅基层向下到该第二电极。 | ||
| 搜索关键词： | 无掩模 建立 对准 磁性 穿隧接面 拓朴 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，其包含：形成第一电极于金属层上方，使该金属层凹进低k介电层；形成磁性通道接面(MTJ)层于该第一电极上方；形成第二电极于该MTJ层上方；部份移除该第二电极、该MTJ层及该第一电极向下到该低k介电层；形成氮化硅基层于该第二电极及该低k介电层上方；以及平坦化该氮化硅基层向下到该第二电极。
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