[发明专利]用于提高光学性能和隔离的堆叠栅格设计有效

专利信息
申请号: 201510765521.0 申请日: 2015-11-11
公开(公告)号: CN106158891B 公开(公告)日: 2019-07-05
发明(设计)人: 郑允玮;曾鸿辉;王昭雄;周俊豪;蔡宗翰;李国政;许慈轩;许永隆 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 提供了一种背照式(BSI)图像传感器,包括具有平坦的下表面的介电栅格开口。像素传感器布置在半导体衬底内。金属栅格布置在像素传感器上方并且限定金属栅格开口的侧壁。介电栅格布置在金属栅格上方并且限定介电栅格开口的侧壁。覆盖层布置在金属栅格上方,并且限定介电栅格开口的平坦的下表面。本发明实施例涉及用于提高光学性能和隔离的堆叠栅格设计。
搜索关键词: 用于 提高 光学 性能 隔离 堆叠 栅格 设计
【主权项】:
1.一种背照式(BSI)图像传感器,包括:像素传感器,布置在半导体衬底内;金属栅格部分,布置在所述像素传感器上方,并且所述金属栅格部分中具有金属栅格开口,其中,所述金属栅格部分具有金属栅格高度;介电栅格部分,布置在所述金属栅格部分上方,并且所述介电栅格部分中具有介电栅格开口,其中,所述介电栅格部分具有介电栅格高度;滤色器,布置在所述介电栅格开口内,其中,所述介电栅格部分的顶面与所述滤色器的顶面平齐;以及覆盖层,布置在所述金属栅格部分上方以及所述金属栅格部分与所述介电栅格部分之间,并且限定所述介电栅格开口的弧形下表面,其中,所述覆盖层的材料与所述介电栅格部分的材料相同,其中,所述滤色器的折射率小于所述覆盖层和所述介电栅格部分的折射率,所述弧形下表面为凸面,其中,所述介电栅格高度与所述金属栅格高度的比率介于1.0至8.0之间。
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