[发明专利]用于提高光学性能和隔离的堆叠栅格设计有效
申请号: | 201510765521.0 | 申请日: | 2015-11-11 |
公开(公告)号: | CN106158891B | 公开(公告)日: | 2019-07-05 |
发明(设计)人: | 郑允玮;曾鸿辉;王昭雄;周俊豪;蔡宗翰;李国政;许慈轩;许永隆 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了一种背照式(BSI)图像传感器,包括具有平坦的下表面的介电栅格开口。像素传感器布置在半导体衬底内。金属栅格布置在像素传感器上方并且限定金属栅格开口的侧壁。介电栅格布置在金属栅格上方并且限定介电栅格开口的侧壁。覆盖层布置在金属栅格上方,并且限定介电栅格开口的平坦的下表面。本发明实施例涉及用于提高光学性能和隔离的堆叠栅格设计。 | ||
搜索关键词: | 用于 提高 光学 性能 隔离 堆叠 栅格 设计 | ||
【主权项】:
1.一种背照式(BSI)图像传感器,包括:像素传感器,布置在半导体衬底内;金属栅格部分,布置在所述像素传感器上方,并且所述金属栅格部分中具有金属栅格开口,其中,所述金属栅格部分具有金属栅格高度;介电栅格部分,布置在所述金属栅格部分上方,并且所述介电栅格部分中具有介电栅格开口,其中,所述介电栅格部分具有介电栅格高度;滤色器,布置在所述介电栅格开口内,其中,所述介电栅格部分的顶面与所述滤色器的顶面平齐;以及覆盖层,布置在所述金属栅格部分上方以及所述金属栅格部分与所述介电栅格部分之间,并且限定所述介电栅格开口的弧形下表面,其中,所述覆盖层的材料与所述介电栅格部分的材料相同,其中,所述滤色器的折射率小于所述覆盖层和所述介电栅格部分的折射率,所述弧形下表面为凸面,其中,所述介电栅格高度与所述金属栅格高度的比率介于1.0至8.0之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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