[发明专利]一种LED芯片及LED芯片的制备方法在审
| 申请号： | 201510751194.3 | 申请日： | 2015-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN105374914A | 公开（公告）日： | 2016-03-02 |
| 发明（设计）人： | 刘英策;陈凯轩;李俊贤;张永;陈亮;魏振东;黄新茂 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14 |
| 代理公司： | 厦门市精诚新创知识产权代理有限公司 35218 | 代理人： | 方惠春 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市火炬*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种光电性好、结构简单、成本低的LED芯片及制备方法。本发明提供的一种LED芯片及LED芯片的制备方法，在现有电流阻挡层与P型层之间加入一第二电流扩散层，使一部分电流经第二电流扩散层至电流阻挡层正下方的有源层，使电流阻挡层下的有源层被充分利用，提高发光效率，增大有源层的利用区域同时减小电流密度，降低LED芯片的电压，同时该结构对光有反射效果，提高出光效率的同时，可对电极层进行简化，从而降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种LED芯片，其特征在于，包括：衬底、N型层、有源层、P型层、电流阻挡层、第一电流扩散层、第二电流扩散层、正电极、负电极，所述衬底上依次设有N型层、有源层、P型层，所述在部分P型层表面蚀刻至裸露出N型层，负电极设于该裸露的N型层上，并与N型层形成欧姆接触，所述第二电流扩散层设于P型层表面，电流阻挡层设于第二电流扩散层表面，所述第二电流扩散层在延伸面上相对于叠加设置在其上的电流阻挡层具有外露区域，第一电流扩散层设于电流阻挡层及P型层表面，并与外露于电流阻挡层的第二电流扩散层欧姆接触，所述正电极设于位于电流阻挡层表面的第一电流扩散层上，所述正电极、第一电流扩散层、第二电流扩散层、P型层之间的接触面均形成欧姆接触。
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