[发明专利]一种LED芯片及LED芯片的制备方法

权利要求书

1.一种LED芯片，其特征在于，包括：衬底、N型层、有源层、P型层、电流阻挡层、第一电流扩散层、第二电流扩散层、正电极、负电极，所述衬底上依次设有N型层、有源层、P型层，所述在部分P型层表面蚀刻至裸露出N型层，负电极设于该裸露的N型层上，并与N型层形成欧姆接触，所述第二电流扩散层设于P型层表面，电流阻挡层设于第二电流扩散层表面，所述第二电流扩散层在延伸面上相对于叠加设置在其上的电流阻挡层具有外露区域，第一电流扩散层设于电流阻挡层及P型层表面，并与外露于电流阻挡层的第二电流扩散层欧姆接触，所述正电极设于位于电流阻挡层表面的第一电流扩散层上，所述正电极、第一电流扩散层、第二电流扩散层、P型层之间的接触面均形成欧姆接触。

2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于：所述第一电流扩散层、第二电流扩散层均为透光的导电材料，所述电流阻挡层为透光的绝缘材料。

3.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于：所述第二电流扩散为ITO膜层、氧化锌膜层或石墨烯膜层。

4.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于：所述第一电流扩散层、电流阻挡层、第二电流扩散层通过厚度和/或折射率构建出一反射膜系。

5.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于：所述第二电流扩散层在周边上外露出电流阻挡层之外。

6.根据权利要求5所述的LED芯片，其特征在于：所述第二电流扩散层外露于电流阻挡层的周边的宽度为2-5μm。

7.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于：还包括一保护层，所述保护层包覆在P型层、第一电流扩散层、N型层、及P型层与N型层交界处的表面，且正电极、负电极暴露在该保护层外。

8.根据权利要求7所述的LED芯片，其特征在于：所述保护层为透光的绝缘材料。

9.一种如上权利要求1-8任一所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1：在衬底在依次生长N型层、有源层、P型层；

S2：在部分P型层表面蚀刻至裸露出N型层；

S3：在P型层表面制备一第二电流扩散层；

S4：在该第二电流扩散层表面制备一电流阻挡层，且使所述第二电流扩散层在延伸面上相对于叠加设置在其上的电流阻挡层具有外露区域；

S5：在该电流阻挡层及P型层表面制备一第一电流扩散层，第一电流扩散层、第二电流扩散层、P型层之间的接触面形成欧姆接触；

S6：在第一电流扩散层与N型层表面分别制备正电极、负电极。

10.根据权利要求9所述LED芯片的制备方法，其特征在于，还包括步骤：

S7：在P型层、第一电流扩散层、N型层、及P型层与N型层交界处的表面制备一保护层，且正电极、负电极暴露在该保护层外。