[发明专利]一种晶硅太阳能电池片表面多孔陷光结构的制备方法

摘要

本发明涉及一种晶硅太阳能电池片表面多孔陷光结构的制备方法，包括以下步骤(1)硅片预处理将硅片依次用丙酮、乙醇、去离子水分别超声清洗；(2)多孔陷光结构的制备将预处理后的硅片在清洗液中清洗，然后在沉积溶液中化学沉积，化学沉积后将硅片取出放入刻蚀溶液中刻蚀，刻蚀完成后放入HNO3溶液中超声清洗，再将硅片取出，放入KBH4溶液中静置，最后取出用去离子水冲洗，吹干，在硅片表面得到多孔陷光结构。与现有技术相比，本发明制得的多孔结构均匀可控，能够有效的提高硅片对太阳光的吸收、降低硅片对太阳光的反射，利用该方法制备多孔陷光结构，工艺简单，生产成本低，可大规模制备，适合于工业化生产。

主权项

一种晶硅太阳能电池片表面多孔陷光结构的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：(1)硅片预处理：将硅片依次用丙酮、乙醇、去离子水分别超声清洗；(2)多孔陷光结构的制备：将预处理后的硅片在清洗液中清洗，然后在沉积溶液中化学沉积，化学沉积后将硅片取出放入刻蚀溶液中刻蚀，刻蚀完成后放入HNO3溶液中超声清洗，再将硅片取出，放入KBH4溶液中静置，所述的KBH4溶液浓度为0.1～5M，最后取出用去离子水冲洗，吹干，在硅片表面得到多孔陷光结构。