[发明专利]一种晶硅太阳能电池片表面多孔陷光结构的制备方法

权利要求书

1.一种晶硅太阳能电池片表面多孔陷光结构的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

(1)硅片预处理：将硅片依次用丙酮、乙醇、去离子水分别超声清洗；

(2)多孔陷光结构的制备：将预处理后的硅片在清洗液中清洗，然后在沉积溶液中化学沉积，化学沉积后将硅片取出放入刻蚀溶液中刻蚀，刻蚀完成后放入HNO₃溶液中超声清洗，再将硅片取出，放入KBH₄溶液中静置，最后取出用去离子水冲洗，吹干，在硅片表面得到多孔陷光结构。

2.根据权利要求1所述的一种晶硅太阳能电池片表面多孔陷光结构的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述的硅片为单晶或多晶、n型或p型。

3.根据权利要求1所述的一种晶硅太阳能电池片表面多孔陷光结构的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述的清洗液为0.1～2M的HF溶液。

4.根据权利要求1所述的一种晶硅太阳能电池片表面多孔陷光结构的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述的沉积溶液含有Ag粒子与HF，其中，Ag粒子浓度为0.1～0.00001M，HF浓度为0.1～5vol％。

5.根据权利要求1所述的一种晶硅太阳能电池片表面多孔陷光结构的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述的刻蚀溶液含有HF和H₂O₂，其中，HF浓度为0.1～10vol％，H₂O₂浓度为0.1～10vol％。

6.根据权利要求1所述的一种晶硅太阳能电池片表面多孔陷光结构的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述的HNO₃溶液中HNO₃与H₂O体积比为1：2。

7.根据权利要求1所述的一种晶硅太阳能电池片表面多孔陷光结构的制备方法，其特征在于，所述的KBH₄溶液浓度为0.1～5M。