[发明专利]一种基于四苯基硅取代的烷氧基二苯并噻吩的衍生物及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201510746405.4 申请日: 2015-11-06
公开(公告)号: CN105418666A 公开(公告)日: 2016-03-23
发明(设计)人: 史永文;王作鹏;郭艳云;王金荣;谢英;张琼;张文清 申请(专利权)人: 莱阳市盛华科技有限公司
主分类号: C07F7/08 分类号: C07F7/08;H01L51/54
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 265200 山东*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明公开了一种基于四苯基硅取代的烷氧基二苯并噻吩的衍生物,该衍生物具有如下所示结构:,本发明基于四苯基硅取代的烷氧基二苯并噻吩的衍生物是OLED器件中的空穴传输材料,以四苯基硅为主体,在其对位连接上具有空穴传输能力的二苯并噻吩,为了更好的调节HOMO能级,在二苯并噻吩上引入具有给电子能力的烷氧基,改善材料的HOMO能级,提高其玻璃转化温度、具有较高的三线态能级,并具有优良的空穴传输能力。本发明制备工艺简单,为OLED显示和照明提供了优良的材料。
搜索关键词: 一种 基于 苯基 取代 烷氧基二苯 噻吩 衍生物 及其 制备 方法
【主权项】:
一种基于四苯基硅及烷氧基二苯并噻吩的衍生物,其特征是该衍生物的结构如式Ⅰ所示:                              I其中R1= R2=CH3 、C2H5、C3H7中的任意一种,该衍生物具有空穴传输特性,可用于OLED显示。
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