[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、显示装置

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板，包括阵列设置于玻璃基板上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅电极、栅极绝缘层、有源层以及源电极和漏电极；其中，所述有源层的材料为金属氧化物半导体材料，所述有源层上还设置有一有机半导体，所述有机半导体覆盖沟道区，并且延伸至所述源电极与所述有源层之间和所述漏电极与所述有源层之间。本发明还公开了如上所述阵列基板的制备方法以及包含该阵列基板的显示装置。

主权项

一种薄膜晶体管阵列基板，包括阵列设置于玻璃基板上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：栅电极，形成于所述玻璃基板上；栅极绝缘层，覆设于所述栅电极上；有源层，形成于所述栅极绝缘层上；源电极和漏电极，形成于所述栅极绝缘层上；所述源电极和漏电极之间相互间隔并且分别具有部分搭接在所述有源层上，所述有源层对应于所述源电极和漏电极相互间隔的区域形成沟道区；其特征在于，所述有源层的材料为金属氧化物半导体材料，所述有源层上还设置有一有机半导体层，所述有机半导体层覆盖所述沟道区，并且延伸至所述源电极与所述有源层之间和所述漏电极与所述有源层之间。