[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列基板，包括阵列设置于玻璃基板上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：

栅电极，形成于所述玻璃基板上；

栅极绝缘层，覆设于所述栅电极上；

有源层，形成于所述栅极绝缘层上；

源电极和漏电极，形成于所述栅极绝缘层上；所述源电极和漏电极之间相互间隔并且分别具有部分搭接在所述有源层上，所述有源层对应于所述源电极和漏电极相互间隔的区域形成沟道区；其特征在于，

所述有源层的材料为金属氧化物半导体材料，所述有源层上还设置有一有机半导体层，所述有机半导体层覆盖所述沟道区，并且延伸至所述源电极与所述有源层之间和所述漏电极与所述有源层之间。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述金属氧化物半导体材料选自ZnO、InZnO、ZnSnO、GaInZnO和ZrInZnO中的任意一种或两种以上。

3.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述有源层的厚度为

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述有机半导体层的材料为小分子型有机半导体材料或聚合物型有机半导体材料。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述小分子型有机半导体材料为并五苯、三苯基胺、富勒烯、酞菁、苝衍生物或花菁，所述聚合物型有机半导体材料为聚乙炔型、聚芳环型或共聚物型的聚合物材料。

6.根据权利要求4或5所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述有机半导体层的厚度为

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括覆设于所述薄膜晶体管上的绝缘保护层。

8.一种如权利要求1-7任一所述的薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

在玻璃基板上采用第一道光罩工艺形成栅电极；

采用第二道光罩工艺形成有源层和有机半导体层；

采用第三道光罩工艺形成源电极和漏电极。

9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其特征在于，该方法具体包括步骤：

S1、提供一玻璃基板，在该玻璃基板上形成栅电极材料膜层；

S2、通过第一道光罩工艺将所述栅电极材料膜层刻蚀形成预定图案的栅电极；

S3、在如上结构的玻璃基板上依次形成栅极绝缘层、有源层材料膜层和有机半导体材料膜层；

S4、通过第二道光罩工艺在所述栅极绝缘层上形成预定图案的有源层和有机半导体层；其中，所述有源层和有机半导体层分别是由所述有源层材料膜层和有机半导体材料膜层通过刻蚀形成；

S5、在如上结构的玻璃基板上形成源/漏电极材料膜层；

S6、通过第三道光罩工艺将所述源/漏电极材料膜层刻蚀形成预定图案的源电极和漏电极。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-7任一所述的薄膜晶体管阵列基板。