[发明专利]一种全介质纳米块阵列偏振元件在审

专利信息
申请号: 201510743908.6 申请日: 2015-11-05
公开(公告)号: CN105223638A 公开(公告)日: 2016-01-06
发明(设计)人: 王钦华;钱沁宇 申请(专利权)人: 苏州大学
主分类号: G02B5/30 分类号: G02B5/30
代理公司: 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 代理人: 陶海锋
地址: 215137 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种全介质纳米块阵列偏振元件,包括矩形基底和复数个等间距平行设置在矩形基底上的偏振单元列,每个偏振单元列均包括复数个等间距设置的偏振单元,偏振单元的长度Sx范围为607~647nm,宽度Sy范围为450~550nm,相邻所述偏振单元中心的间距Lx为640~680nm,相邻所述偏振单元列中心的间距Ly为950~1050nm,所述偏振单元的高度h范围为110~230nm,相邻偏振单元中心的间距Lx大于偏振单元的长度Sx。本发明相比于现有光学偏振元件具有厚度薄、体积小、重量轻的优点,同时加工难度低,符合未来光学元件的发展趋势。
搜索关键词: 一种 介质 纳米 阵列 偏振 元件
【主权项】:
一种全介质纳米块阵列偏振元件,其特征在于:包括矩形基底和复数个等间距平行设置在矩形基底上的偏振单元列,每个所述偏振单元列均包括复数个等间距设置的偏振单元,所述偏振单元的长度Sx范围为607~647nm,宽度Sy范围为450~550nm,相邻所述偏振单元中心的间距Lx为640~680nm,相邻所述偏振单元列中心的间距Ly为950~1050nm,所述偏振单元的高度h范围为110~230nm,相邻所述偏振单元中心的间距Lx大于偏振单元的长度Sx。
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