[发明专利]一种全介质纳米块阵列偏振元件在审
申请号: | 201510743908.6 | 申请日: | 2015-11-05 |
公开(公告)号: | CN105223638A | 公开(公告)日: | 2016-01-06 |
发明(设计)人: | 王钦华;钱沁宇 | 申请(专利权)人: | 苏州大学 |
主分类号: | G02B5/30 | 分类号: | G02B5/30 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 陶海锋 |
地址: | 215137 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种全介质纳米块阵列偏振元件,包括矩形基底和复数个等间距平行设置在矩形基底上的偏振单元列,每个偏振单元列均包括复数个等间距设置的偏振单元,偏振单元的长度Sx范围为607~647nm,宽度Sy范围为450~550nm,相邻所述偏振单元中心的间距Lx为640~680nm,相邻所述偏振单元列中心的间距Ly为950~1050nm,所述偏振单元的高度h范围为110~230nm,相邻偏振单元中心的间距Lx大于偏振单元的长度Sx。本发明相比于现有光学偏振元件具有厚度薄、体积小、重量轻的优点,同时加工难度低,符合未来光学元件的发展趋势。 | ||
搜索关键词: | 一种 介质 纳米 阵列 偏振 元件 | ||
【主权项】:
一种全介质纳米块阵列偏振元件,其特征在于:包括矩形基底和复数个等间距平行设置在矩形基底上的偏振单元列,每个所述偏振单元列均包括复数个等间距设置的偏振单元,所述偏振单元的长度Sx范围为607~647nm,宽度Sy范围为450~550nm,相邻所述偏振单元中心的间距Lx为640~680nm,相邻所述偏振单元列中心的间距Ly为950~1050nm,所述偏振单元的高度h范围为110~230nm,相邻所述偏振单元中心的间距Lx大于偏振单元的长度Sx。
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