[发明专利]一种全介质纳米块阵列偏振元件在审
| 申请号： | 201510743908.6 | 申请日： | 2015-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN105223638A | 公开（公告）日： | 2016-01-06 |
| 发明（设计）人： | 王钦华;钱沁宇 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | G02B5/30 | 分类号： | G02B5/30 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 陶海锋 |
| 地址： | 215137 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 介质 纳米 阵列 偏振 元件 | ||
【权利要求书】：
1.一种全介质纳米块阵列偏振元件，其特征在于：包括矩形基底和复数个等间距平行设置在矩形基底上的偏振单元列，每个所述偏振单元列均包括复数个等间距设置的偏振单元，所述偏振单元的长度Sx范围为607～647nm，宽度Sy范围为450～550nm，相邻所述偏振单元中心的间距Lx为640～680nm，相邻所述偏振单元列中心的间距Ly为950～1050nm，所述偏振单元的高度h范围为110～230nm，相邻所述偏振单元中心的间距Lx大于偏振单元的长度Sx。
2.根据权利要求1所述的全介质纳米块阵列偏振元件，其特征在于：所述偏振单元为Si单元。
3.根据权利要求1所述的全介质纳米块阵列偏振元件，其特征在于：所述矩形基底为长方形SiO2基底。
4.根据权利要求1所述的全介质纳米块阵列偏振元件，其特征在于：所述全介质纳米块阵列偏振元件的工作波长范围为1450～1650nm。
5.根据权利要求4所示的全介质纳米块阵列偏振元件，其特征在于：所述全介质纳米块阵列偏振元件的工作波长范围为1509.31～1611.51nm。
6.根据权利要求1所述的全介质纳米块阵列偏振元件，其特征在于：所述偏振单元的高度h范围为130～170nm。
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