[发明专利]一种提高LED外延晶体质量的外延生长方法

摘要

本申请公开了提高LED外延晶体质量的外延生长方法，生长不掺杂GaN层为：升高温度到1000-1200℃，保持压力300-600mbar，a)通入NH₃、TMGa、H₂、生长U型GaN100nm-500nm，50s-100s；b)停止TMGa通入，保持温度压力及NH₃和N₂通入量不变，持续50s-100s，停止生长，进行保温处理；保持压力温度及NH₃和N₂通入量不变，通入200sccm-400sccmTMGa，生长U型GaN100m-500nm，50s-100s，停止TMGa通入，持续50s-100s，停止生长，进行保温处理；重复a)b)，周期性生长2μm-4μmU型GaN。

主权项

一种提高LED外延晶体质量的外延生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温缓冲层GaN、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、交替生长In_xGa_(1‑x)N/GaN发光层、生长P型AlGaN层、生长掺杂Mg的P型GaN层，降温冷却，其特征在于，所述生长不掺杂GaN层进一步为：升高温度到1000‑1200℃，保持反应腔压力300‑600mbar下，(a)通入流量为30000sccm‑40000sccm的NH₃、200sccm‑400sccm的TMGa、100L/min‑130L/min的H₂、生长U型GaN100nm‑500nm，生长时间控制在50s‑100s；(b)停止TMGa的通入，保持温度、压力以及NH₃和N₂通入量不变，持续50s‑100s，停止生长，对100nm‑500nm的U型GaN进行保温处理；然后保持压力、温度以及NH₃和N₂通入量不变，再通入200sccm‑400sccmTMGa，生长U型GaN100m‑500nm，生长时间控制在50s‑100s，然后停止TMGa的通入，保持温度、压力以及NH₃和N₂通入量不变，持续50s‑100s，停止生长，对100nm‑500nm的U型GaN进行保温处理；重复(a)(b)，周期性生长2μm‑4μmU型GaN。