[发明专利]具有梯度折射率效应的二次电光晶体及其制备与应用方法有效

专利信息
申请号: 201510734429.8 申请日: 2015-11-02
公开(公告)号: CN105220232B 公开(公告)日: 2018-07-06
发明(设计)人: 王旭平;刘冰;杨玉国;吕宪顺;张园园;魏磊;王继扬 申请(专利权)人: 山东省科学院新材料研究所
主分类号: C30B29/22 分类号: C30B29/22;C30B15/00
代理公司: 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 代理人: 曹丽
地址: 250014 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明具体涉及一种梯度折射率效应的二次电光晶体及其制备与应用方法,通式为M:KTa1‑xNbxO3的离子掺杂型电光晶体,具有钙钛矿结构,其中M=Cu2+,Fe3+,Sn4+,Ni2+,Ti4+,Na+,Li+,且M含量为0~5at%;晶体组分中Nb含量为0≤x≤0.5,居里点位于‑241~90℃之间,在居里点以上晶体为立方相,m3m点群;居里点以下变为四方相,4mm点群,基质组分Ta/Nb在晶体中呈均匀分布,掺杂离子M在晶体内部呈非均匀分布,浓度分布沿晶体生长方向呈线性变化。本发明实现了晶体电光效应与梯度折射率效应的功能复合,在同一调制样品的不同方向上分别实现了激光的传播方向和激光强度调制。
搜索关键词: 梯度折射率 电光晶体 点群 制备 激光强度调制 晶体生长方向 非均匀分布 钙钛矿结构 掺杂离子 传播方向 电光效应 功能复合 离子掺杂 浓度分布 线性变化 立方相 四方相 基质 调制 应用 激光
【主权项】:
1.一种具有梯度折射率效应的二次电光晶体材料,其特征是:(1)具有通式M:KTa1‑xNbxO3的离子掺杂型电光晶体,具有钙钛矿结构,其中M=Fe3+,Ni2+,Na+,Li+其中一种离子单掺、或M=Cu2+,Fe3+,Sn4+,Ni2+,Ti4+,Na+,Li+两种双掺、或三种以上组合多掺;(2)上述具有通式M:KTa1‑xNbxO3的晶体,其基质组分Ta/Nb在晶体中呈近均匀分布,掺杂离子M在晶体内部呈非均匀分布,浓度分布沿某晶体生长方向呈线性变化,掺杂离子浓度梯度变化范围为0.3~2at%/cm;(3)上述具有通式M:KTa1‑xNbxO3的晶体,晶体内部折射率呈线性变化,其变化范围为32×10‑3‑50×10‑3/mm。
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