[发明专利]芯片衬底和芯片封装模块在审
| 申请号： | 201510728386.2 | 申请日： | 2015-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN105576104A | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | 安范模;朴胜浩 | 申请（专利权）人： | 普因特工程有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/60 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 张春媛;阎娬斌 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种芯片衬底包括：导电部分、绝缘部分、空腔和散热部分。绝缘部分交替结合至导电部分以电隔离导电部分。透镜嵌入部分以预定深度形成在芯片衬底的上表面，以横跨每个绝缘部分延伸。每个透镜嵌入部分包括预定数量的笔直的侧面和在笔直的侧面相互交汇的区域中形成的弧形拐角。空腔以预定深度从透镜嵌入部分向内形成，以横跨每个绝缘部分延伸。散热部分结合到芯片衬底的下表面。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 衬底 封装 模块 | ||
【主权项】：
一种芯片衬底，其包括：形成在芯片衬底的导电部分；交替结合至导电部分以电隔离导电部分的绝缘部分；形成在芯片衬底的上表面的透镜嵌入部分，每个透镜嵌入部分包括凹槽，该凹槽在绝缘部分上方具有预定深度并且包括预定数量的笔直的侧面和在笔直的侧面相互交汇的区域中形成的弧形拐角；从透镜嵌入部分向内形成的空腔，该空腔在绝缘部分上方具有预定深度；以及结合到芯片衬底的下表面的散热部分。
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