[发明专利]芯片衬底和芯片封装模块在审
| 申请号: | 201510728386.2 | 申请日: | 2015-10-30 |
| 公开(公告)号: | CN105576104A | 公开(公告)日: | 2016-05-11 |
| 发明(设计)人: | 安范模;朴胜浩 | 申请(专利权)人: | 普因特工程有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/60 |
| 代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 张春媛;阎娬斌 |
| 地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 韩国;KR |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 芯片 衬底 封装 模块 | ||
技术领域
本发明涉及一种芯片衬底和使用该芯片衬底的芯片封装模块。
背景技术
在现有技术中,用于将芯片安装至芯片衬底的空间通过机械加工或化 学蚀刻形成在芯片衬底的上表面上。即,韩国专利No.10-0986211公开了 一种通过蚀刻未处理的矩形金属板的上部分而形成安装空间的方法。
在诸如UVLED或类似物的光学元件芯片安装在这种芯片衬底上的情 况下,在芯片衬底中形成具有宽顶部和窄底部形状的空间(即,其横截面 区域随其深度变深而变小的形状),以增强光反射性能。在形成该空间之 后,将芯片安装在该空间中。该空间通过透镜密封,以增强光效。
因为当从上方观察芯片衬底时,用于安装芯片的空间以圆形形状形 成,所以透镜也以圆形形状形成,以便对应于该空间的形状。
然而,与将透镜加工成具有直线的形状(例如,矩形形状或三角形形 状)相比,将透镜加工成圆形形状更加困难。
发明内容
鉴于现有技术的上述问题,本发明的目的在于提供一种芯片衬底,其 中透镜嵌入空间以具有笔直的侧面的形状形成。
更具体地,本发明的目的在于提供一种芯片衬底,其中芯片安装空间 和透镜嵌入空间彼此分离,透镜嵌入空间以具有笔直的侧面的形状形成, 而芯片安装空间从透镜嵌入空间向内形成。
根据本发明的一个方面,提供了一种芯片衬底,其包括:形成在芯片 衬底的导电部分;交替结合至导电部分以电隔离导电部分的绝缘部分;形 成在芯片衬底的上表面的透镜嵌入部分,每个透镜嵌入部分包括在绝缘部 分上方具有预定深度的凹槽并且包括预定数量的笔直的侧面和在笔直的 侧面相互交汇的区域中形成的弧形拐角;从透镜嵌入部分向内形成的空 腔,该空腔在绝缘部分上方具有预定深度;以及结合到芯片衬底的下表面 的散热部分。
在芯片衬底中,透镜嵌入部分的每个弧形拐角可以自笔直的侧面向外 突出。
在芯片衬底中,每个空腔可以宽顶部和窄底部的形状形成,以使得其 横截面区域随其深度变大而变小,每个空腔由具有预定曲率的外表面限 定。
芯片衬底还可以包括:形成在空腔的底表面上的金属层。
在芯片衬底中,散热部分可以包括:结合至芯片衬底的下表面上的绝 缘部分和导电部分的散热界面部分;以及结合至散热界面部分并配置成辐 射由芯片产生的热量的热辐射部分。
芯片衬底还可以包括:电极连接部分,其形成在芯片衬底的上表面上 以将电压施加至导电部分。
芯片衬底还可以包括:电极指示部分,其设置在电极连接部分周围以 指示施加至导电部分的电压的极性。
芯片衬底还可以包括:侧槽,其形成在芯片衬底的至少一个侧表面上, 以使得在芯片衬底和另一芯片衬底之间形成空间。
在芯片衬底中,当芯片衬底结合至另一芯片衬底时,在侧槽中填充绝 缘材料。
芯片衬底还可以包括:螺栓连接部分,其形成在芯片衬底的至少一个 表面上,以将印刷电路板固定至芯片衬底。
根据本发明的另一方面,提供了一种芯片封装模块,包括:芯片衬底, 该芯片衬底包括:形成在芯片衬底的导电部分;交替结合至导电部分以电 隔离导电部分的绝缘部分;形成在芯片衬底的上表面的透镜嵌入部分,每 个透镜嵌入部分包括凹槽,该凹槽在绝缘部分上方具有预定深度并且包括 预定数量的笔直的侧面和在笔直的侧面相互交汇的区域中形成的弧形拐 角;以及从透镜嵌入部分向内形成的空腔,该空腔在绝缘部分上方具有预 定深度;以及安装在空腔中的光学元件芯片;嵌入在透镜嵌入部分以密封 空腔的透镜;以及结合至芯片衬底的下表面的散热部分。
根据本发明,透镜嵌入部分以具有笔直的侧面的形状形成。这使得可 以将透镜形成为具有笔直的侧面的形状。因此,可以简化嵌入到透镜嵌入 部分中的透镜的制备工艺。
附图说明
图1是根据本发明的一个实施方式的示出芯片衬底的透视图。
图2是根据本发明的一个实施方式的芯片衬底的横截面图。
图3A是根据本发明的一个实施方式的芯片衬底的透视图。
图3B和3C是在图3A中示出的芯片衬底的放大视图。
图4是示出了根据本发明的一个实施方式的芯片衬底的结合实例的视 图。
具体实施方式
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于普因特工程有限公司,未经普因特工程有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510728386.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体制冷组件
- 下一篇:一种发光二极管的制备方法





