[发明专利]电阻式存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 201510723998.2 | 申请日： | 2015-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN106654004B | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | 许博砚;沈鼎瀛;何家骅;傅志正;陈达 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种电阻式存储器及其制造方法，所述电阻式存储器包括：第一电极、第二电极、可变电阻层、氧交换层、以及保护层。第一电极与第二电极相对设置。可变电阻层配置于第一电极与第二电极之间。氧交换层配置于可变电阻层与第二电极之间。保护层至少配置于氧交换层的侧壁上。本发明提供的电阻式存储器及其制造方法，其可保护存储器单元的侧壁，以避免重置失败，进而提升高温数据保持能力。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电阻式存储器，其特征在于，包括：相对配置的第一电极与第二电极；可变电阻层，配置于所述第一电极与所述第二电极之间；第一介电层，配置于所述可变电阻层与所述第二电极之间且具有开口；保护层，共形配置于所述开口中；以及氧交换层，填入所述开口中，使得所述保护层配置于所述氧交换层的侧壁上且配置于所述氧交换层与所述可变电阻层之间。
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