[发明专利]电阻式存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 201510723998.2 | 申请日： | 2015-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN106654004B | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | 许博砚;沈鼎瀛;何家骅;傅志正;陈达 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电阻 存储器 及其 制造 方法 | ||
1.一种电阻式存储器，其特征在于，包括：
相对配置的第一电极与第二电极；
可变电阻层，配置于所述第一电极与所述第二电极之间；
第一介电层，配置于所述可变电阻层与所述第二电极之间且具有开口；
保护层，共形配置于所述开口中；以及
氧交换层，填入所述开口中，使得所述保护层配置于所述氧交换层的侧壁上且配置于所述氧交换层与所述可变电阻层之间。
2.根据权利要求1所述的电阻式存储器，其特征在于，所述保护层的材料包括高介电常数材料。
3.根据权利要求2所述的电阻式存储器，其特征在于，所述保护层还延伸至所述第一介电层的顶面。
4.根据权利要求1所述的电阻式存储器，其特征在于，还包括阻挡层配置于所述氧交换层与所述第二电极之间。
5.一种电阻式存储器的制造方法，其特征在于，包括：
形成相对配置的第一电极与第二电极；
形成可变电阻层于所述第一电极与所述第二电极之间；
形成第一介电层于所述可变电阻层与所述第二电极之间；
形成开口于所述第一介电层中；
共形形成保护层于所述开口中；以及
将氧交换层填入所述开口中，其中所述保护层配置于所述氧交换层的侧壁上且配置于所述氧交换层与所述可变电阻层之间。
6.根据权利要求5所述的电阻式存储器的制造方法，其特征在于，所述保护层还延伸至所述第一介电层的顶面。
7.根据权利要求5所述的电阻式存储器的制造方法，其特征在于，在将所述氧交换层填入所述开口中之后，还包括形成阻挡层于所述氧交换层与所述第二电极之间。
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