[发明专利]薄晶片电流传感器有效
| 申请号： | 201510720530.8 | 申请日： | 2011-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN105242097B | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | U.奥塞莱希纳;M.莫茨 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R19/00 | 分类号： | G01R19/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;陈岚 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及薄晶片电流传感器。实施例涉及使用薄晶片制造工艺制造的IC电流传感器。这样的技术可以包括其中利用研磨前划片（DBG）的处理，这可以改进可靠性并且使应力效应最小化。尽管实施例利用面朝上安装，但是在其他实施例中通过过孔接触而使面朝下安装是可能的。IC电流传感器实施例可以在使常常与传统的IC电流传感器相关联的缺陷最小化的同时呈现许多优点。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 电流传感器 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：从第一面划片小于硅晶片的整个厚度；将叠层带施加到所述硅晶片的所述第一面；对所述硅晶片的第二面进行背研磨；将划片带施加到所述硅晶片的所述第二面；移除所述叠层带；对所述硅晶片进行过刻蚀；对半导体晶片的半导体芯片进行分割；以及利用至少一个分割的半导体芯片来形成磁场电流传感器。
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