[发明专利]薄晶片电流传感器

说明书

本发明涉及薄晶片电流传感器。实施例涉及使用薄晶片制造工艺制造的IC电流传感器。这样的技术可以包括其中利用研磨前划片（DBG）的处理，这可以改进可靠性并且使应力效应最小化。尽管实施例利用面朝上安装，但是在其他实施例中通过过孔接触而使面朝下安装是可能的。IC电流传感器实施例可以在使常常与传统的IC电流传感器相关联的缺陷最小化的同时呈现许多优点。

本发明是于2011年8月31日提交的、申请号为“2011102543935”、发明名称为“薄晶片电流传感器”的分案申请。

技术领域

本发明通常涉及集成电路（IC）电流传感器并且更具体地涉及根据薄晶片制造工艺制造的IC电流传感器。

背景技术

流电（galvanically）隔离集成电路（IC）电流传感器的期望性质包括高磁灵敏度；高机械稳定性和可靠性；对芯片边界附近的霍尔（Hall）传感器元件的低应力影响；高热均匀性和低热梯度；高隔离电压；以及低制造成本。传统的电流传感器可以包括一个或多个旨在应对这些期望性质的特征或者以旨在应对这些期望性质的方式制造。

例如，一些电流传感器使用引线框作为电流引线。其他电流传感器还包括磁芯。然而，这样的传感器可能制造昂贵。

其他电流传感器包括额外的层，诸如硅管芯顶部上的特殊磁层或者在隔离层上形成的厚金属层。这些传感器也是昂贵的，并且前者可能对干扰场敏感并且可能受到与IC外部的电流引线的定位相关的缺陷的困扰。

因此，需要一种在使缺陷最小化的同时具有期望性质的流电隔离IC电流传感器。

发明内容

在一个实施例中，一种薄晶片集成电路电流传感器包括：电流导体；薄晶片半导体芯片，基本上没有从芯片边缘向内超过约10微米（μm）的划片缺陷；至少一个磁场感测元件，布置在薄晶片半导体芯片的表面上；以及隔离层，位于电流导体和薄晶片半导体芯片之间。

在一个实施例中，一种方法包括：从第一面划片小于硅晶片的整个厚度；将叠层带施加到硅晶片的第一面；对硅晶片的第二面进行背研磨；将划片带施加到硅晶片的第二面；移除叠层带；对硅晶片进行过刻蚀；对半导体晶片的半导体芯片进行分割；以及利用至少一个分割的半导体芯片形成磁场电流传感器。

在一个实施例中，一种薄晶片集成电路电流传感器包括：电流导体；薄晶片半导体芯片，具有至少一个过刻蚀的研磨前划片（DBG）边缘，该至少一个边缘包括从该至少一个边缘向内延伸约10微米（μm）的缺陷区域；至少一个磁场感测元件，布置在薄晶片半导体芯片上；以及隔离层，位于电流导体和薄晶片半导体芯片之间。

附图说明

考虑到结合附图的本发明的各种实施例的下面详细描述，可以更完整地理解本发明，其中：

图1示出了根据实施例的传感器的框图；

图2A示出了根据实施例的研磨前划片工艺的流程图；

图2B示出了根据实施例的研磨前划片工艺的流程图；

图3示出了根据实施例的晶片图像；

图4示出了根据实施例的传感器的框图；

图5示出了根据实施例的传感器的框图；

图6示出了根据实施例的传感器的框图。

尽管本发明经得起各种修改和替选形式的检验，但是其细节在附图中作为示例被示出并且将被详细描述。然而，应当理解，意图并非是使本发明限于所描述的特定实施例。相反，意图是涵盖落在如所附权利要求限定的本发明的精神和范围内的所有修改、等价物和替选方案。

具体实施方式