[发明专利]一种基于溶菌酶二维纳米薄膜进行金属无电沉积的方法

摘要

本发明公开了一种基于溶菌酶二维纳米薄膜进行金属无电沉积的方法，该方法先通过溶菌酶的相转变在基材表面形成一层溶菌酶二维纳米薄膜，然后利用溶菌酶二维纳米薄膜吸附催化剂，再将表面吸附催化剂的基材浸入金属无电沉积液中，使基材表面沉积金属。本发明基于溶菌酶二维纳米薄膜进行金属无电沉积，不但拓展了基材的选择性，而且溶菌酶二维纳米薄膜本身带正电，可以直接吸附带负电的钯盐催化剂，不需要在基材表面再进行任何其他复杂的聚合反应和接枝反应，操作简单、绿色环保；同时溶菌酶二维纳米薄膜对紫外光和电子束较为敏感，故可在紫外光和电子束曝光后实现表面图案化，简化了图案化的过程。

主权项

一种基于溶菌酶二维纳米薄膜进行金属无电沉积的方法，其特征在于它包括下述步骤：(1)制备溶菌酶二维纳米薄膜将40～50mmol/L三(2‑羧乙基)膦的4‑羟乙基哌嗪乙磺酸缓冲溶液用NaOH调节至pH值为5.0～6.5，然后将其与2～4mg/mL溶菌酶的4‑羟乙基哌嗪乙磺酸缓冲溶液等体积混合均匀，将基材与所得混合液接触，室温静置30～50分钟，在基材表面形成一层溶菌酶二维纳米薄膜；(2)吸附催化剂将步骤(1)中表面形成溶菌酶二维纳米薄膜的基材浸泡于5～45mmol/L四氯钯酸铵水溶液中，在黑暗条件下放置5～30分钟，使基材表面吸附催化剂；(3)无电沉积金属将表面吸附催化剂的基材浸入金属无电沉积液中，使基材表面沉积金属。