[发明专利]一种基于溶菌酶二维纳米薄膜进行金属无电沉积的方法

权利要求书

1.一种基于溶菌酶二维纳米薄膜进行金属无电沉积的方法，其特征在于它包括下述步骤：

(1)制备溶菌酶二维纳米薄膜

将40～50mmol/L三(2-羧乙基)膦的4-羟乙基哌嗪乙磺酸缓冲溶液用NaOH调节至pH值为5.0～6.5，然后将其与2～4mg/mL溶菌酶的4-羟乙基哌嗪乙磺酸缓冲溶液等体积混合均匀，将基材与所得混合液接触，室温静置30～50分钟，在基材表面形成一层溶菌酶二维纳米薄膜；

(2)吸附催化剂

将步骤(1)中表面形成溶菌酶二维纳米薄膜的基材浸泡于5～45mmol/L四氯钯酸铵水溶液中，在黑暗条件下放置5～30分钟，使基材表面吸附催化剂；

(3)无电沉积金属

将表面吸附催化剂的基材浸入金属无电沉积液中，使基材表面沉积金属。

2.根据权利要求1所述的基于溶菌酶二维纳米薄膜进行金属无电沉积的方法，其特征在于：所述步骤(2)中，将步骤(1)中表面形成溶菌酶二维纳米薄膜的基材图案化后再浸泡于5～45mmol/L四氯钯酸铵水溶液中，在黑暗条件下放置5～30分钟，使基材表面吸附催化剂，其中图案化的方法为：在表面形成溶菌酶二维纳米薄膜的基材上覆盖光掩模，用光照强度为8000～12000μW/cm²的紫外光辐照8～15分钟，使表面形成溶菌酶二维纳米薄膜的基材图案化。

3.根据权利要求1或2所述的基于溶菌酶二维纳米薄膜进行金属无电沉积的方法，其特征在于：在步骤(2)中，所述的四氯钯酸铵水溶液的浓度为20～30mmol/L，在黑暗条件下放置10～15分钟。

4.根据权利要求1或2所述的基于溶菌酶二维纳米薄膜进行金属无电沉积的方法，其特征在于：在步骤(3)中，所述的金属为铜、银、镍、金中的任意一种。

5.根据权利要求1或2所述的基于溶菌酶二维纳米薄膜进行金属无电沉积的方法，其特征在于：所述基材的类型为玻璃、硅、二氧化硅、聚对苯二甲酸乙二醇酯、纤维、头发丝、聚酰亚胺、聚乙烯、聚丙烯、聚碳酸酯、聚二甲基硅氧烷中的任意一种，其形状为一维线性结构、二维平面结构、三维立体结构。