[发明专利]固体摄像元件及其制造方法、固体摄像装置和摄像装置有效
| 申请号: | 201510717533.6 | 申请日: | 2011-08-24 |
| 公开(公告)号: | CN105355639B | 公开(公告)日: | 2019-06-07 |
| 发明(设计)人: | 大庭义行;桧山晋;押山到 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/77;H04N5/225 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 曹正建;陈桂香 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 本发明公开了一种固体摄像元件、固体摄像元件的制造方法、固体摄像装置和摄像装置。所述固体摄像元件包括:半导体基板,所述半导体基板包括用于对入射光进行光电转换的受光部;第一氧化物层,所述第一氧化物层形成在所述半导体基板的表面上;以及第二氧化物层,所述第二氧化物层位于所述第一氧化物层和平坦化膜之间,其中,所述第二氧化物层的形成材料的氧化焓小于所述第一氧化物层的形成材料的氧化焓。所述固体摄像装置包括所述固体摄像元件和光学系统。所述摄像装置包括所述固体摄像元件、光学系统和信号处理部。本发明能够避免界面损坏并且能够在不降低可靠性和粘着性的前提下抑制暗电流。 | ||
| 搜索关键词: | 固体 摄像 元件 及其 制造 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种摄像元件,其包括:半导体基板,所述半导体基板包括用于对入射光进行光电转换的受光部;第一氧化物层,所述第一氧化物层形成在所述半导体基板的表面上;以及第二氧化物层,所述第二氧化物层位于所述第一氧化物层和包括钛元素的层之间,其中,所述第二氧化物层的形成材料的氧化焓小于所述第一氧化物层的形成材料的氧化焓。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





