[发明专利]固体摄像元件及其制造方法、固体摄像装置和摄像装置

权利要求书

1.一种摄像元件，其包括：

半导体基板，所述半导体基板包括用于对入射光进行光电转换的受光部；

第一氧化物层，所述第一氧化物层形成在所述半导体基板的表面上；以及

第二氧化物层，所述第二氧化物层位于所述第一氧化物层和包括钛元素的层之间，

其中，所述第二氧化物层的形成材料的氧化焓小于所述第一氧化物层的形成材料的氧化焓。

2.根据权利要求1所述的摄像元件，其中，所述第二氧化物层是由透光材料形成的，并且形成在与形成有所述半导体基板的所述受光部的区域相对应的区域的几乎整个表面上。

3.根据权利要求1所述的摄像元件，其还包括：

遮光层，

其中，所述包括钛元素的层布置在所述遮光层和所述第二氧化物层之间。

4.根据权利要求3所述的摄像元件，其中，所述遮光层含有铝、钛、铝合金和氮化钛中的至少一种材料。

5.根据权利要求1所述的摄像元件，其中，所述第二氧化物层包括氧化钽、氧化铌、氧化钒、氧化铬、氧化钨或氧化钼。

6.根据权利要求1所述的摄像元件，其中，所述摄像元件是这样的背面照射型摄像元件：所述背面照射型摄像元件包括多个像素部和配线层，每个所述像素部具有将所述入射光转换成电信号的所述受光部，所述配线层位于所述半导体基板的形成有所述像素部的表面侧，并且所述背面照射型摄像元件通过所述受光部接收从形成有所述配线层的表面的相反侧入射的光。

7.根据权利要求1所述的摄像元件，其还包括：防反射膜，所述防反射膜位于所述第一氧化物层和所述第二氧化物层之间。

8.根据权利要求1所述的摄像元件，其中，所述包含钛元素的层布置在所述第二氧化物层上。

9.根据权利要求1所述的摄像元件，其还包括：氧化物膜和防反射膜，所述氧化物膜和所述防反射膜位于所述第一氧化物层和所述第二氧化物层之间。

10.一种摄像元件，其包括：

半导体基板，所述半导体基板包括用于对入射光进行光电转换的受光部；

第一氧化物层，所述第一氧化物层形成在所述半导体基板的表面上；

第二氧化物层，所述第二氧化物层位于所述第一氧化物层和包含钛元素的层之间；以及

布线层，其中，所述包含钛元素的层形成在所述第二氧化物层和所述布线层之间，

其中，所述第二氧化物层的形成材料的氧化焓小于所述第一氧化物层的形成材料的氧化焓。

11.根据权利要求10所述的摄像元件，其中，所述第二氧化物层是由透光材料形成的，并且形成在与形成有所述半导体基板的所述受光部的区域相对应的区域的几乎整个表面上。

12.根据权利要求10所述的摄像元件，其中，所述第二氧化物层仅形成在与形成有所述布线层的区域相对应的区域中。

13.根据权利要求10所述的摄像元件，其中，所述第二氧化物层包括氧化钽、氧化铌、氧化钒、氧化铬、氧化钨或氧化钼。

14.一种摄像元件的制造方法，其包括：

在半导体基板的表面上形成第一氧化物层，所述半导体基板包括用于对入射光进行光电转换的受光部；以及

在所述第一氧化物层和包含钛元素的层之间形成第二氧化物层，

其中，所述第二氧化物层的形成材料的氧化焓小于所述第一氧化物层的形成材料的氧化焓。