[发明专利]一种改善低介电质膜厚稳定性的方法有效
| 申请号： | 201510716951.3 | 申请日： | 2015-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN105304483B | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 钟飞;沈剑平;李锦山;王科;韩晓刚 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种改善低介电质膜厚稳定性的方法。一种改善低介电质膜厚稳定性的方法，方法包括：步骤S1：检查成膜设备的前一个任务中没有完成工艺的硅片数量；步骤S2：将没有完成工艺的硅片数量与预设的数量值进行比较；步骤S3：当没有完成工艺的硅片数量大于预设的数量值时，后一任务生成，硅片进入成膜设备以进行成膜工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 低介 电质 膜厚 成膜设备 预设 半导体领域 成膜工艺 任务生成 检查 | ||
【主权项】：
1.一种改善低介电质膜厚稳定性的方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S1：检查成膜设备的前一个任务中没有完成工艺的硅片数量；步骤S2：将所述没有完成工艺的硅片数量与预设的数量值进行比较；步骤S3：当所述没有完成工艺的硅片数量大于所述预设的数量值时，后一任务生成，硅片进入所述成膜设备以进行成膜工艺；其中，所述步骤S1之前包括：步骤S11：检查是否存在所述前一个任务，若存在执行步骤S1，若不存在直接进行所述成膜工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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