[发明专利]一种改善低介电质膜厚稳定性的方法

说明书

本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种改善低介电质膜厚稳定性的方法。一种改善低介电质膜厚稳定性的方法，方法包括：步骤S1：检查成膜设备的前一个任务中没有完成工艺的硅片数量；步骤S2：将没有完成工艺的硅片数量与预设的数量值进行比较；步骤S3：当没有完成工艺的硅片数量大于预设的数量值时，后一任务生成，硅片进入成膜设备以进行成膜工艺。

技术领域

本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种改善低介电质膜厚稳定性的方法。

背景技术

低介电质(Low k)薄膜主要用于后段的介电质层，一般使用八甲基硅醚(OMCTS)和氧气(O2)作为主要反应物反应成膜，八甲基硅醚常温常压下是液体状态，成膜反应对温度很敏感。

Producer GT设备是AMAT公司用在Low k工艺上的一个成熟的产品。工艺腔体(process chamber)的前一个任务(Last job)的最后一个程式，例如制法程序(Recipe)，清洗(clean)工艺或者沉积(deposition)工艺即将结束时，第二个任务(job)的处理顺序(sequence)(以下都是相同sequence的情况)的硅片(wafer)录入检查(track in)工艺腔体，工艺腔体不会被触发额外的清洗制法程序(clean recipe)，工艺腔体执行完last任务的最后一个recipe之后，会等待第二个任务的硅片进入工艺腔体。第二个任务的硅片没有足够的时间传送至工艺腔体，导致工艺腔体等待(idle)，特别是第二个任务的工艺程式和前一个任务的工艺程式相同。工艺腔体等待时间越长，在硅片表面成膜的量越少，硅片上的膜厚变薄，图1为现有技术中停顿时间与膜厚的关系示意图，如图1所示，硅片上的成膜偏薄，对产品的稳定性和良率会有很大负影响，甚至是电性能测试达不到稳定性要求。

图2为现有技术中各个工艺花费的时间的示意图，由于不同生产的制法程序和制造执行系统(MES，Manufacturing Execution System)不同，各动作(action)花费的时间(time expended)也会不同，其中不同的动作、工艺程序、程序(program)可以为：开始清洗花费时间为7：26秒，第一次硅片从录入检查到下层真空交换腔准备时间可以是1份20秒等等。第二个任务录入检查时机不佳导致的工艺腔体等待的示意图如图3所示。

发明内容

针对现有技术中低介电质膜厚稳定性较差的问题，本发明提供了一种改善低介电质膜厚稳定性的方法，以提高膜厚的稳定性。

本发明采用如下技术方案：

一种改善低介电质膜厚稳定性的方法，所述方法包括：

步骤S1：检查成膜设备的前一个任务中没有完成工艺的硅片数量；

步骤S2：将所述没有完成工艺的硅片数量与预设的数量值进行比较；

步骤S3：当所述没有完成工艺的硅片数量大于所述预设的数量值时，后一任务生成，硅片进入所述成膜设备以进行成膜工艺。

优选的，所述步骤S1之前包括：

步骤S11：检查是否存在所述前一个任务，若存在执行步骤S1，若不存在直接进行所述成膜工艺。

优选的，由所述制造执行系统生成所述任务。

优选的，所述没有完成工艺的硅片数量由所述制造执行系统从所述成膜设备向所述制造执行系统发送的事件报告中获得。

优选的，所述制造执行系统生成所述任务时，所述任务内的每片需要执行工艺的硅片对应一条所述事件报告。

优选的，所述步骤S1具体包括：

步骤S11：所述制造执行系统接收每片需要执行工艺的硅片的所述事件报告；

步骤S12：对需要的所述事件报告进行计数；