[发明专利]一种半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201510706085.X | 申请日： | 2015-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN105244260A | 公开（公告）日： | 2016-01-13 |
| 发明（设计）人： | 江宁 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/336;H01J37/317 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430000 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其制备方法，通过对具有不同沟道宽度的晶体管分别进行不同剂量的阈值电压调整离子注入，即对具有较窄沟道的晶体管进行较大剂量的阈值电压调整离子注入以抑制反窄沟道效应，使得不同沟道宽度的晶体管达到统一的阈值电压，同时有效减少了窄沟道晶体管的漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，其特征在于，包括：半导体衬底，具有第一区域和第二区域；若干沟道，设置于所述半导体衬底中，且位于所述第一区域中的沟道的宽度小于位于所述第二区域中沟道的宽度；其中，所述第一区域包括第一阈值电压调整区，所述第二区域包括第二阈值电压调整区，且所述第一阈值电压调整区中注入离子的浓度大于所述第二阈值电压调整区中注入离子的浓度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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