[发明专利]一种半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201510706085.X | 申请日： | 2015-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN105244260A | 公开（公告）日： | 2016-01-13 |
| 发明（设计）人： | 江宁 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/336;H01J37/317 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430000 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
半导体衬底，具有第一区域和第二区域；
若干沟道，设置于所述半导体衬底中，且位于所述第一区域中的沟道的宽度小于位于所述第二区域中沟道的宽度；
其中，所述第一区域包括第一阈值电压调整区，所述第二区域包括第二阈值电压调整区，且所述第一阈值电压调整区中注入离子的浓度大于所述第二阈值电压调整区中注入离子的浓度。
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一阈值电压调整区和所述第二阈值电压调整区均设置于阱区中。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括嵌入设置于所述半导体衬底中的浅沟槽隔离结构；且所述浅沟槽隔离结构包括浅沟槽和位于所述浅沟槽中的二氧化硅层。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一区域和所述第二区域中均设置有源漏区和位于所述源漏区之间的所述半导体衬底之上之上的栅极。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构为金属氧化物场效应晶体管。
6.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1，提供一设置有若干沟道的半导体衬底，所述半导体衬底具有第一区域和第二区域，且位于所述第一区域中的沟道的宽度小于位于所述第二区域中沟道的宽度；
步骤S2，于所述第一区域中进行第一剂量的阈值电压调整离子注入形成第一阈值电压调整区后，继续于所述第二区域中进行第二剂量的阈值电压调整离子注入形成第二阈值电压调整区；
其中，所述第一剂量大于所述第二剂量。
7.如权利要求6所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述步骤S2包括：
步骤S21，于所述半导体衬底中形成浅沟槽隔离结构；
步骤S22，于位于所述第一区域中的所述半导体衬底中进行阱区离子注入形成第一阱区后，于所述第一阱区中形成所述第一阈值电压调整区；
步骤S23，于位于所述第二区域中的所述半导体衬底中进行阱区离子注入形成第二阱区后，于所述第二阱区中形成所述第二阈值电压调整区。
8.如权利要求7所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述浅沟槽隔离结构包括浅沟槽和位于所述浅沟槽中的二氧化硅层。
9.如权利要求6所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：
步骤S3，分别于所述第一区域和第二区域中形成源漏区和位于所述源漏区之间的所述半导体衬底之上的栅极。
10.如权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述半导体结构为金属氧化物场效应晶体管。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
