[发明专利]一种提高阻变存储器可靠性的低功耗刷新系统及方法在审
| 申请号： | 201510705987.1 | 申请日： | 2015-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN105280222A | 公开（公告）日： | 2016-01-27 |
| 发明（设计）人： | 张锋;项中元 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;G11C29/42 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高阻变存储器可靠性的低功耗刷新系统及方法。该系统包括：ECC编码电路，对自外部写入的待存储的数据信息进行纠错码编码，然后将编码后的数据信息传送给写电路；写电路，将编码后的数据信息写入RRAM阵列；RRAM阵列，存储数据信息和冷热数据块标志位信息；读电路，将存储的数据信息从RRAM阵列中读取出来并传送给ECC解码电路；ECC解码电路，对读电路读出的数据信息进行纠错码解码，然后将解码后的数据信息传送给外部输出信号管脚；刷新控制电路，对读电路和写电路进行控制，并根据地址译码电路存储的地址信息定期进行数据刷新操作；外部控制模块，为整个系统提供外部的读写使能和地址信息。本发明一定程度上解决了RRAM的保持时间失效的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 存储器 可靠性 功耗 刷新 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种提高阻变存储器可靠性的低功耗刷新系统，其特征在于，该系统包括ECC编码电路、写电路、RRAM阵列、读电路、ECC解码电路、地址译码电路、刷新控制电路和外部控制模块：ECC编码电路，连接于写电路，用于对自外部写入的待存储的数据信息进行纠错码编码，然后将编码后的数据信息传送给写电路；写电路，连接于RRAM阵列，用于将编码后的数据信息写入RRAM阵列；RRAM阵列，连接于读电路，用于存储数据信息和冷热数据块标志位信息；读电路，连接于ECC解码电路，用于将存储的数据信息从RRAM阵列中读取出来并传送给ECC解码电路；ECC解码电路，用于对读电路读出的数据信息进行纠错码解码，然后将解码后的数据信息传送给外部输出信号管脚；地址译码电路，连接于RRAM阵列，用于将输入地址译码成RRAM阵列中对应的行列；刷新控制电路，连接于读电路、写电路和地址译码电路，用于对读电路和写电路进行控制，并根据地址译码电路存储的地址信息定期进行数据刷新操作；外部控制模块，用于为整个系统提供外部的读写使能和地址信息。
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