[发明专利]一种原子层沉积设备以及方法

摘要

本发明属于半导体集成电路制造工艺技术领域，公开了一种原子层沉积设备，其包括基座、加热座、气体供应管道、等离子体管道以及真空泵；同时，还公开了一种原子层沉积方法，首先向硅片与基座之间的腔室中输送NF3和NH3，再通入等离子体使其转变成氟化氨和二氟化氨，氟化物与二氧化硅薄膜发生反应形成六氟化氨，接着对六氟化氨进行加热，使其分解为气态物并最终抽离淀积腔；本发明解决了现有背清洗工艺存在的清洗时间长、清洗不干净的问题，方法简便，可与现有的工艺相兼容，具有成本低、易于实施等优点。

主权项

一种原子层沉积设备，用于将硅片固定于淀积腔中进行沉积工艺，其特征在于，包括：基座，设于硅片下方，所述基座上具有多个用于承载硅片的支撑件，所述硅片的下表面与基座的上表面具有预设间距；加热座，设于所述基座的上表面，用于对所述基座与硅片之间的气体进行加热；气体供应管道，自底部贯通所述基座向硅片背面输送气体，所述气体供应管道上具有用于控制所述气体供应管道启闭的控制阀；等离子体管道，自底部贯通所述基座向硅片背面输送等离子体，所述等离子体管道上具有用于控制所述等离子体管道启闭的控制阀；以及，真空泵，与所述淀积腔连通，用于将所述淀积腔内的气体抽离所述淀积腔。