[发明专利]一种原子层沉积设备以及方法

权利要求书

1.一种原子层沉积设备，用于将硅片固定于淀积腔中进行沉积工艺，其特征在于，包括：

基座，设于硅片下方，所述基座上具有多个用于承载硅片的支撑件，所述硅片的下表面与基座的上表面具有预设间距；

加热座，设于所述基座的上表面，用于对所述基座与硅片之间的气体进行加热；

气体供应管道，自底部贯通所述基座向硅片背面输送气体，所述气体供应管道上具有用于控制所述气体供应管道启闭的控制阀；

等离子体管道，自底部贯通所述基座向硅片背面输送等离子体，所述等离子体管道上具有用于控制所述等离子体管道启闭的控制阀；以及，

真空泵，与所述淀积腔连通，用于将所述淀积腔内的气体抽离所述淀积腔。

2.根据权利要求1所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述气体供应管道为多个，均匀分布于所述基座的圆周方向。

3.根据权利要求2所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述气体供应管道上具有气体流量调节器，用于调节所述气体供应管道输送的气体流量大小。

4.根据权利要求1所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述等离子体管道为多个，均匀分布于所述基座的圆周方向。

5.根据权利要求4所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述等离子体管道上具有等离子体流量调节器，用于调节所述等离子体管道输送的等离子体流量大小。

6.一种采用权利要求1-5任一所述的原子层沉积设备进行的原子层沉积方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S01，提供一硅片，所述硅片的背面在淀积过程中形成有二氧化硅薄膜；

步骤S02，通过所述气体供应管道向硅片与基座之间的腔室中输送NF₃和NH₃；

步骤S03，通过所述等离子体管道向硅片与基座之间的腔室中输送等离子体，以使所述NF₃和NH₃转变成氟化氨和二氟化氨；

步骤S04，所述氟化氨和二氟化氨与硅片背面的二氧化硅薄膜发生反应，形成六氟化氨；

步骤S05，对所述六氟化氨进行加热，以使其分解为气态的SiF₄、NH₃和HF；

步骤S06，采用所述真空泵将气态的SiF₄、NH₃和HF抽离所述淀积腔。

7.根据权利要求6所述的原子层沉积方法，其特征在于，所述步骤S01中，所述二氧化硅薄膜的厚度为50～200埃。

8.根据权利要求6所述的原子层沉积方法，其特征在于，所述步骤S02中，通入NF₃的流量为5sccm～25sccm，通入NH₃的流量为5sccm～25sccm。

9.根据权利要求6所述的原子层沉积方法，其特征在于，所述步骤S03中，所述等离子体的产生功率为5～80瓦。

10.根据权利要求6所述的原子层沉积方法，其特征在于，所述步骤S05中，对所述六氟化氨进行加热的温度为20～100度。