[发明专利]一种发光二极管外延片及其制作方法有效
| 申请号： | 201510703800.4 | 申请日： | 2015-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN105355649B | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 吴克敏;徐瑾;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L33/32;C23C16/44;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制作方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的未掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、P型AlGaN电子阻挡层和P型层，所述P型层包括交替生长的P型GaN层和未掺杂GaN层。本发明通过交替生长P型GaN层和未掺杂GaN层形成P型层，P型层中的未掺杂GaN层对空穴具有蓄积作用，因此可以提高P型GaN层中的空穴浓度，而且P型层中的未掺杂GaN层不会受到未离化的Mg散射的影响，利于空穴的扩散，也增加了空穴的迁移效率，进而增加多量子阱层中与电子复合的空穴数量，提高LED的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的未掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、P型AlGaN电子阻挡层和P型层，其特征在于，所述P型层包括交替生长的P型GaN层和未掺杂GaN层，所述P型层中的P型GaN层的厚度与所述P型层中的未掺杂GaN层的厚度之比为10：1～50:1。
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