[发明专利]一种发光二极管外延片及其制作方法有效

申请号：	201510703800.4	申请日：	2015-10-26
公开（公告）号：	CN105355649B	公开（公告）日：	2018-08-03
发明（设计）人：	吴克敏;徐瑾;王江波	申请（专利权）人：	华灿光电股份有限公司
主分类号：	H01L29/06	分类号：	H01L29/06;H01L33/32;C23C16/44;H01L21/02
代理公司：	北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138	代理人：	徐立
地址：	430223 湖北省***	国省代码：	湖北;42
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摘要：
搜索关键词：	一种发光二极管外延及其制作方法
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【权利要求书】：

1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的未掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、P型AlGaN电子阻挡层和P型层，其特征在于，所述P型层包括交替生长的P型GaN层和未掺杂GaN层，所述P型层中的P型GaN层的厚度与所述P型层中的未掺杂GaN层的厚度之比为10：1～50:1。

2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述P型层中的未掺杂GaN层的厚度为2～3nm。

3.根据权利要求2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述P型层中的未掺杂GaN层的厚度为2.5nm。

4.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述P型层中的P型GaN层的厚度与所述P型层中的未掺杂GaN层的厚度之比为30:1。

5.一种发光二极管外延片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

在衬底上形成未掺杂GaN层；

在所述未掺杂GaN层上形成N型GaN层；

在所述N型GaN层上形成多量子阱层；

在所述多量子阱层上形成P型AlGaN电子阻挡层；

在所述P型AlGaN电子阻挡层上形成P型层，所述P型层包括交替生长的P型GaN层和未掺杂GaN层，所述P型层中的P型GaN层的厚度与所述P型层中的未掺杂GaN层的厚度之比为10：1～50:1。

6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述在所述P型AlGaN电子阻挡层上形成P型层，包括：

在纯氢气气氛下生长所述P型层中的未掺杂GaN层。

7.根据权利要求5或6所述的制作方法，其特征在于，所述P型层中的未掺杂GaN层的厚度为2～3nm。