[发明专利]基于硅通孔阵列的三维高值集成电容器及其制作方法在审
| 申请号： | 201510697588.5 | 申请日： | 2015-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN105390480A | 公开（公告）日： | 2016-03-09 |
| 发明（设计）人： | 王凤娟;余宁梅 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了基于硅通孔阵列的三维高值集成电容器，包括半导体衬底，贯通半导体衬底的上下表面设置有若干个通孔，在通孔的内侧表面上设置有绝缘层，在通孔的绝缘层内填充有硅通孔金属；在半导体衬底的上表面设置有顶层介质，在半导体衬底的下表面设置有底层介质；硅通孔金属分为两组，其中第一组硅通孔金属相互连接构成电极一，第二组硅通孔金属相互连接构成电极二；电极一、电极二中的一个为电容器的正极，另一个为电容器的负极。本发明还公开了该基于硅通孔阵列的三维高值集成电容器的制作方法。本发明利用硅通孔金属和硅衬底之间的寄生电容，大幅度提高了集成电容器的容值，解决现有技术中二维结构的平板电容的容值小的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 硅通孔 阵列 三维 集成 电容器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
基于硅通孔阵列的三维高值集成电容器，其特征在于，包括半导体衬底(201)，贯通半导体衬底(201)的上下表面设置有若干个通孔，在通孔的内侧表面上设置有绝缘层(202)，在通孔的绝缘层(202)内填充有硅通孔金属(203)；在半导体衬底(201)的上表面设置有顶层介质(101)，在半导体衬底(201)的下表面设置有底层介质(301)；所述的硅通孔金属(203)分为两组，其中第一组硅通孔金属(203)相互连接构成电极一，第二组硅通孔金属(203)相互连接构成电极二；电极一、电极二中的一个为电容器的正极，另一个为电容器的负极。
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