[发明专利]射频识别中的临界场强保护系统

摘要

本发明公开了一种射频识别中的临界场强保护系统，包括线圈，用于耦合读卡机发射出来的能量和信号；整流稳压负载调制模块，其输入端与线圈的两端相连接，对输入的信号进行整流和稳压，输出电源电压给其它电路模块使用；将卡片所需要返回给读卡机的数据通过负载调制方式经由线圈返回给读卡机；电流检测模块，与整流稳压负载调制模块相连接，用于检测系统中的电流大小，并根据检测阈值进行判断后给出相应报警信号；数字控制模块，当收到所述电流检测模块的报警信号后控制卡片不进行重要数据的操作。本发明能够避免在临界场强时进行重要数据的操作和交易，进一步提高芯片的可靠性和安全性。

主权项

一种射频识别中的临界场强保护系统，其特征在于，包括：一线圈，用于耦合读卡机发射出来的能量和信号；一整流稳压负载调制模块，其输入端与所述线圈的两端相连接，对输入的信号进行整流和稳压，输出电源电压给其它电路模块使用；将卡片所需要返回给读卡机的数据通过负载调制方式经由线圈返回给读卡机；一电流检测模块，与所述整流稳压负载调制模块相连接，用于检测系统中的电流大小，并根据检测阈值进行判断后给出相应报警信号；一数字控制模块，与所述整流稳压负载调制模块和电流检测模块相连接，当收到所述电流检测模块的报警信号后控制卡片不进行重要数据的操作；所述电流检测模块，包括：第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管和第一PMOS晶体管；其中，第一NMOS晶体管的漏极与电源电压端相连接，其源极接地，其栅极作为控制端，记为VC端；第一PMOS晶体管的源极与电源电压端相连接，其漏极与第二NMOS晶体管的漏极相连接，且其连接的节点作为电流检测模块的电压输出端，其栅极作为参考电压端，记为VREF；第二NMOS晶体管的源极接地，其栅极与所述VC端相连接；所述第一NMOS晶体管为泄流管，泄放掉电路中多余的电流，如果第一NMOS晶体管中没有电流，说明当前工作状态下没有多余电流。