[发明专利]射频识别中的临界场强保护系统有效
| 申请号: | 201510696995.4 | 申请日: | 2015-10-23 |
| 公开(公告)号: | CN106610687B | 公开(公告)日: | 2018-02-13 |
| 发明(设计)人: | 马和良 | 申请(专利权)人: | 上海华虹集成电路有限责任公司 |
| 主分类号: | G05F1/569 | 分类号: | G05F1/569 |
| 代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人: | 戴广志 |
| 地址: | 201203 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 射频 识别 中的 临界 场强 保护 系统 | ||
1.一种射频识别中的临界场强保护系统,其特征在于,包括:
一线圈,用于耦合读卡机发射出来的能量和信号;
一整流稳压负载调制模块,其输入端与所述线圈的两端相连接,对输入的信号进行整流和稳压,输出电源电压给其它电路模块使用;将卡片所需要返回给读卡机的数据通过负载调制方式经由线圈返回给读卡机;
一电流检测模块,与所述整流稳压负载调制模块相连接,用于检测系统中的电流大小,并根据检测阈值进行判断后给出相应报警信号;
一数字控制模块,与所述整流稳压负载调制模块和电流检测模块相连接,当收到所述电流检测模块的报警信号后控制卡片不进行重要数据的操作;
所述电流检测模块,包括:第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管和第一PMOS晶体管;其中,第一NMOS晶体管的漏极与电源电压端相连接,其源极接地,其栅极作为控制端,记为VC端;第一PMOS晶体管的源极与电源电压端相连接,其漏极与第二NMOS晶体管的漏极相连接,且其连接的节点作为电流检测模块的电压输出端,其栅极作为参考电压端,记为VREF;第二NMOS晶体管的源极接地,其栅极与所述VC端相连接;
所述第一NMOS晶体管为泄流管,泄放掉电路中多余的电流,如果第一NMOS晶体管中没有电流,说明当前工作状态下没有多余电流。
2.如权利要求1所述的系统,其特征在于:所述线圈在电路中等效于一个电感。
3.如权利要求1所述的系统,其特征在于:所述数字控制模块根据报警信号控制卡片不进行重要数据的操作后,将需要返回的信号编译成相应的控制信号去控制整流稳压负载调制模块,然后将这些控制信号通过负载调制的方式返回给读卡机,从而完成整个交流流程。
4.如权利要求1所述的系统,其特征在于:在所述数字控制模块中能够设置电流检测模块的检测阈值。
5.如权利要求1或4所述的系统,其特征在于:在所述数字控制模块中,设置多档检测电流的检测阈值,根据实际工作情况选择一档合适的检测阈值。
6.如权利要求1所述的系统,其特征在于:所述第一NMOS晶体管的宽长比为100μm/0.18μm。
7.如权利要求1所述的系统,其特征在于:在电路设计中,通过选择适合的VREF值使得流过第一PMOS晶体管的电流为10μA;第一PMOS晶体管的宽长比尺寸为2μm/1μm。
8.如权利要求1所述的系统,其特征在于:第二NMOS晶体管宽长比为1μm/0.18μm,其尺寸是第一NMOS晶体管的百分之一,也就是说流过第一NMOS晶体管的电流是第二NMOS晶体管的100倍。
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